发明名称 电致显示装置
摘要 一种电致显示装置,可减低其阳极的平均薄膜阻抗,并可显示高解析度的影像,及包括此电致显示装置的设备。在阳极108上提供金属薄膜109,以盖住像素间的间隙。因此,降低电致装置之阳极108的平均薄膜电阻。进一步的,可避免自像素间隙处漏光,而产生高解析度的影像。
申请公布号 TW511298 申请公布日期 2002.11.21
申请号 TW089124566 申请日期 2000.11.20
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 西毅;石丸典子
分类号 H01L31/12 主分类号 H01L31/12
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种电致显示装置,包括:配置有多个像素的主动阵列型基底,每一像素具有与薄膜电阻连接的像素电极;及由该作为阴极之像素电极,电致层及阳极所构成的电致元件,其中在阳极上提供金属薄膜,以盖住该像素的边缘及该像素间的间隙。2.如申请专利范围第1项之电致显示装置,其中该金属薄膜的薄膜电阻低于该阳极的薄膜电阻。3.如申请专利范围第1项之电致显示装置,其中该金属薄膜作为遮光薄膜。4.如申请专利范围第1项之电致显示装置,其中该金属薄膜具有层状的结构。5.如申请专利范围第1项之电致显示装置,其中在该电致元件之该阴极的表面提供升起部位。6.如申请专利范围第1项之电致显示装置,其中该金属薄膜选自下列的群组:Ti,A1,Ta,W,Cr,Cu及Ag。7.如申请专利范围第1项之电致显示装置,其中该阳极包括氧化锡铟。8.如申请专利范围第1项之电致显示装置,其中该阴极包括铝。9.如申请专利范围第1项之电致显示装置,其中该电致显示装置选自下列群组:摄影机,头帽式显示器,个人电脑,导航系统,行动电话及汽车音响。10.一种电致显示装置,包括:配置有多个像素的主动阵列型基底,每一像素具有与薄膜电阻连接的像素电极;及由该作为阴极之像素电极,电致层及阳极所构成的电致元件,其中在该阳极与相对基底间提供金属薄膜,以盖住该像素的边缘及该像素间的间隙。11.如申请专利范围第10项之电致显示装置,其中该金属薄膜的薄膜电阻低于该阳极的薄膜电阻。12.如申请专利范围第10项之电致显示装置,其中该金属薄膜作为遮光薄膜。13.如申请专利范围第10项之电致显示装置,其中该金属薄膜具有层状的结构。14.如申请专利范围第10项之电致显示装置,其中在该电致元件之该阴极的表面提供升起部位。15.如申请专利范围第10项之电致显示装置,其中该金属薄膜选自下列的群组:Ti,A1,Ta,W,Cr,Cu及Ag。16.如申请专利范围第10项之电致显示装置,其中该阳极包括氧化锡铟。17.如申请专利范围第10项之电致显示装置,其中该阴极包括铝。18.如申请专利范围第10项之电致显示装置,其中该电致显示装置选自下列群组:摄影机,头帽式显示器,个人电脑,导航系统,行动电话及汽车音响。19.一种电致显示装置,包括:配置有多个像素的主动阵列型基底,每一像素具有与薄膜电阻连接的像素电极;及由该作为阴极之像素电极,电致层及阳极所构成的电致元件,其中在部分的该阳极上提供金属薄膜,以盖住该像素的边缘及该像素间的间隙。20.如申请专利范围第19项之电致显示装置,其中该金属薄膜的薄膜电阻低于该阳极的薄膜电阻。21.如申请专利范围第19项之电致显示装置,其中该金属薄膜作为遮光薄膜。22.如申请专利范围第19项之电致显示装置,其中该金属薄膜具有层状的结构。23.如申请专利范围第19项之电致显示装置,其中在该电致元件之该阴极的表面提供升起部位。24.如申请专利范围第19项之电致显示装置,其中该金属薄膜选自下列的群组:Ti,Al.Ta,W,Cr,Cu及Ag。25.如申请专利范围第19项之电致显示装置,其中该阳极包括氧化锡铟。26.如申请专利范围第19项之电致显示装置,其中该阴极包括铝。27.如申请专利范围第19项之电致显示装置,其中该电致显示装置选自下列群组;摄影机,头帽式显示器,个人电脑,导航系统,行动电话及汽车音响。28.一种电致显示装置,包括:配置有多个像素的主动阵列型基底,每一像素具有与薄膜电阻连接的像素电极;及由该作为阴极之像素电极,电致层及阳极所构成的电致元件,其中在部分的该阳极与相对基底间提供金属薄膜,以盖住该像素的边缘及该像素间的间隙。29.如申请专利范围第28项之电致显示装置,其中该金属薄膜的薄膜电阻低于该阳极的薄膜电阻。30.如申请专利范围第28项之电致显示装置,其中该金属薄膜作为遮光薄膜。31.如申请专利范围第28项之电致显示装置,其中该金属薄膜具有层状的结构。32.如申请专利范围第28项之电致显示装置,其中在该电致元件之该阴极的表面提供升起部位。33.如申请专利范围第28项之电致显示装置,其中该金属薄膜选自下列的群组:Ti,Al,Ta,W,Cr,Cu及Ag。34.如申请专利范围第28项之电致显示装置,其中该阳极包括氧化锡铟。35.如申请专利范围第28项之电致显示装置,其中该阴极包括铝。36.如申请专利范围第28项之电致显示装置,其中该电致显示装置选自下列群组:摄影机,头帽式显示器,个人电脑,导航系统,行动电话及汽车音响。图式简单说明:图1说明电致显示装置的像素部位。图2说明电致显示装置的像素剖面结构。图3A及3B说明电致显示装置的上部结构及电致显示装置之像素部位的配置。图4A至4E说明电致显示装置之主动阵列型基底的制作步骤。图5A至5D说明电致显示装置之主动阵列型基底的制作步骤。图6A至6C说明电致显示装置之主动阵列型基底的制作步骤。图7显示电致模组的外部透视图。图8显示电致显示装置的电路配置。图9为电致显示装置之像素放大图。图10为电致显示装置之取样电路的结构。图11A及11B为具电致模组之电器的上视图及剖面图。图12说明电致显示装置的像素配置。图13A至13F分别说明电子设备的特定例。图14A及14B说明电子设备的特定例。图15说明电致显示装置的像素区。
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