发明名称 SEMICONDUCTOR COMPONENT, PARTICULARLY A MICROMECHANICAL PRESSURE SENSOR
摘要 <p>Die Erfindung betrifft insbesondere ein Halbleiterbauelement, wie insbesondere ein mikromechanischer Drucksensor (200), mit einer Membranelektrode (206), einem unter der Membran befindlichen Hohlraum (208) und einer unter der Membran befindlichen Bodenelektrode (202, 203). Um die Zuverlässigkeit des Halbleiterbauelements zu erhöhen, ist erfindungsgemäss insbesondere eine aus einer ersten und einer zweiten Elektrode (202, 203) bestehende Bodenelektrode vorgesehen, wobei die zweite Elektrode (203) die erste Elektrode (202) weitgehend umschliesst.</p>
申请公布号 WO2002088654(A2) 申请公布日期 2002.11.07
申请号 DE2002001151 申请日期 2002.03.28
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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