发明名称 | 互补金属氧化物半导体输出电路 | ||
摘要 | 一种通过某种方法选择关闭时的输出的电路。开关元件连接在输出级中某晶体管的栅极与具有的电位是VDD电平或VSS电平的端子之间,以便选择栅极电位。 | ||
申请公布号 | CN1378287A | 申请公布日期 | 2002.11.06 |
申请号 | CN02108532.3 | 申请日期 | 2002.03.27 |
申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 木村亮平 |
分类号 | H01L27/092;H01L27/10 | 主分类号 | H01L27/092 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;梁永 |
主权项 | 1.一种CMOS(互补金属氧化物半导体)输出电路,它包括:第一MOS(金属氧化物半导体)晶体管,它具有第一源极端子、第一栅极端子和第一漏极端子;第二MOS晶体管,它具有第二源极端子、第二栅极端子和第二漏极端子,所述第二源极端子连接至负电源电压VSS,所述第二栅极端子连接至第一关闭信号端子;第三MOS晶体管,它具有第三源极端子、第三栅极端子和第三漏极端子,所述第三源极端子连接至正电源电压VDD,所述第三栅极端子连接至第二关闭信号端子;第一开关元件,它的一端连接到所述第二漏极端子而另一端连接到所述第一栅极端子;以及第二开关元件,它的一端连接到所述第三漏极端子而另一端连接到所述第一栅极端子与所述第一开关元件之间的连接点,其中所述第一源极端子连接到所述电源电压之一,而所述第一漏极端子用作输出端子。 | ||
地址 | 日本千叶县千叶市 |