| 发明名称 | 具有低介电常数的高热导层的半导体组件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有低介电常数的高热导层的半导体组件制造方法,用以在具有一金属连线的半导体基底上方形成一内金属介电层。其中,系利用具有低介电常数与高流动性的介电质来得到平坦化的内金属介电层,并以一反调光阻覆盖于金属连线以外的部分,然后进行氮气离子植入,于沟填层中形成一高热导结构,用以增加内金属介电层的垂直热导。 | ||
| 申请公布号 | CN1378249A | 申请公布日期 | 2002.11.06 |
| 申请号 | CN01109539.3 | 申请日期 | 2001.03.30 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 蒋星星 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/283 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种具有低介电常数的高热导层的半导体组件制造方法，用以在具有一金属连线的半导体基底上方形成一内金属介电层，其特征在于：该半导体组件制造方法包括：形成一下层氧化层于该半导体基底上方；形成一具有低介电常数的可流动性的沟填层；形成一光阻层于该沟填层上方，并定义该沟填层以得到一反调光阻；进行氮气离子植入，在该沟填层中形成一高热导结构；移除该反调光阻；沉积一顶氧化层于该沟填层上方。 | ||
| 地址 | 台湾新竹科学工业园区研新三路四号 | ||