| 主权项 |
1.一种电场发光显示装置,系排列复数个显示画素而成,而该显示画素具备有在阳极与阴极之间具有发光层的电场发光元件及将半导体膜所构成之源极连接于前述电场发光元件上的薄膜电晶体,其特征为:前述薄膜电晶体之源极侧的扩散区域界面系与前述发光层互相离开者。2.一种电场发光显示装置,系排列复数个显示画素而成,而该显示画素具备有在阳极与阴极之间具有发光层的电场发光元件;将半导体膜所构成之汲极连接于汲极线,将闸极连接于闸极线的第一薄膜电晶体;以及将前述半导体膜所构成之汲极连接于前述电场发光元件之驱动线,将闸极连接于前述第一薄膜电晶体之源极,将源极连接于前述电场发光元件的第二薄膜电晶体;其特征为:前述第二薄膜电晶体之源极侧的扩散区域界面系与前述发光层互相离开者。3.一种电场发光显示装置,系排列复数个显示画素而成,而该显示画素具备有在阳极与阴极之间具有发光层的电场发光元件及将半导体膜所构成之源极连接在前述电场发光元件上的薄膜电晶体,其特征为:在前述电场发光元件与前述薄膜电晶体之源极侧的扩散区域界面之间,设有用以遮断由前述电场发光元件所发射之光的遮光膜。4.一种电场发光显示装置,系排列复数个显示画素而成,而该显示画素具备有在阳极与阴极之间具有发光层的电场发光元件;将半导体膜所构成之汲极连接在汲极线,将闸极连接在闸极线的第一薄膜电晶体;以及将前述半导体膜所构成之汲极连接于前述电场发光元件之驱动线,将闸极连接于前述第一薄膜电晶体之源极,将源极连接于前述电场发光元件的第二薄膜电晶体,其特征为:在前述电场发光元件与前述第二薄膜电晶体之源极侧的扩散区域界面之间,设有用以遮断由前述电场发光元件所发射之光的遮光膜。5.一种电场发光显示装置,系排列复数个显示画素而成,而该显示画素具备有在阳极与阴极之间具有发光层的电场发光元件;将半导体膜所构成之汲极连接于汲极线,将闸极连接于闸极线的第一薄膜电晶体;以及将前述半导体膜所构成之汲极连接于前述电场发光元件之驱动线,将闸极连接于前述第一薄膜电晶体之源极,将源极连接于前述电场发光元件的第二薄膜电晶体,其特征为:在前述第一薄膜电晶体及/或前述第二薄膜电晶体之半导体层的上层,设有用以遮断由前述电场发光元件所发射之光的遮光膜。6.如申请专利范围第3项、第4项或第5项之电场发光显示装置,其中,前述遮光膜系由前述薄膜电晶体之源极电极或汲极电极所兼用。7.一种电场发光显示装置,系排列复数个显示画素而成,而该显示画素具备有在阳极与阴极之间具有发光层的电场发光显示元件及将半导体膜所构成之源极连接于前述电场发光元件的薄膜电晶体,其特征为:设有位于前述薄膜电晶体之下层,且对应前述电场发光元件之部分为开口的遮光膜。8.如申请专利范围第7项之电场发光显示装置,其中,在前述薄膜电晶体之半导体层的上层,设有用以遮断由前述电场发光元件所发射之光的遮光膜。9.如申请专利范围第7项或第8项之电场发光显示装置,其中,前述遮光膜系与前述薄膜电晶体之驱动电源电连接,而前述遮光膜与前述薄膜电晶体之源极电连接。10.如申请专利范围第7项或第8项之电场发光显示装置,其中,前述遮光膜之开口部系形成比发光层内侧。11.一种电场发光显示装置,系排列复数个显示画素而成,而该显示画素具备有在阳极与阴极之间具有发光层的电场发光元件;将半导体膜所构成之汲极连接于汲极线,将闸极连接于闸极线的第一薄膜电晶体;以及将前述半导体膜所构成之汲极连接于前述电场发光元件之驱动线,将闸极连接于前述第一薄膜电晶体之源极,将源极连接于前述电场发光元件的第二薄膜电晶体,其特征为:设有位于前述薄膜电晶体之下层,且对应前述电场发光元件之部分为开口的遮光膜。12.如申请专利范围第11项之电场发光显示装置,其中,在前述第一薄膜电晶体及/或前述第二薄膜电晶体之半导体层的上层,设有用以遮断由前述电场发光元件所发射之光的遮光膜。13.如申请专利范围第11项或第12项之电场发光显示装置,其中,前述遮光膜系与前述第二薄膜电晶体之驱动电源电连接,而前述遮光膜与前述第二薄膜电晶体之源极电连接。14.如申请专利范围第11项或第12项之电场发光显示装置,其中,前述遮光膜之开口部系形成比前述发光层内侧。图式简单说明:第1图为本发明电场发光显示装置之显示画素平面图。第2图为第1图中第二TFT的图。第3图为第1图中第二TFT的图。第4图为第1图A-A线截面图。第5图系相当于第1图A-A线的截面,为采用顶闸型TFT之EL显示装置截面图。第6图系相当于第1图B-B线的截面,为采用顶闸型TFT之EL显示装置的截面图。第7图为习知电场发光显示装置之显示画素平面图。第8图为习知电场发光显示装置等效电路图。第9图为第7图A-A线截面图。第10图为第7图B-B线截面图。 |
