Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-auf-Isolator-Struktur

摘要

Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen eines Grabens für elektrische Isolierung in einer SOI(Silicium-auf-Isolator)-Struktur werden die folgenden Schritte ausgeführt: Herstellen einer ersten Oxidschicht auf der Oberseite der obersten Siliciumschicht der SOI-Struktur, Herstellen einer Polysiliciumschicht auf der Oberseite der Oxidschicht, Herstellen einer zweiten Oxidschicht auf der Oberseite der Polysiliciumschicht, Strukturieren der ersten Oxidschicht, der Polysiliciumschicht und der zweiten Oxidschicht zum Herstellen einer Ätzmaske, Ätzen der oberen Siliciumschicht der SOI-Struktur zum Herstellen des Grabens und Entfernen der zweiten Oxidschicht und der Polysiliciumschicht.