| 主权项 |
1.一种半导体装置(20),其具有一基材(1)及一防护性涂层(14)且在该基材的第一面(2)上具有第一种半导体元件(3),该防护性涂层(14)包含一种被掺入基质中之粉末状填料,其特征在于–该粉末状第一种填料与基质间的折射率差至少为0.3,及–该涂层含有第二种填料,此第二种填料是一种波长至少在800至1400毫微米范围之实质辐射吸收剂且其不含重金属。2.根据申请专利范围第1项之半导体装置(20),其特征在于第二种填料包括TiN。3.根据申请专利范围第1或2项之半导体装置(20),其特征在于第一种填料包括TiO2。4.根据申请专利范围第1项之半导体装置(20),其特征在于防护性涂层的基质包括单铝磷酸盐。5.根据申请专利范围第4项之半导体装置(20),其特征在于该防护性涂层的厚度少于3微米。6.根据申请专利范围第1项之半导体装置(20),其特征在于其包含一种感光元件及一个包含数据的元件,此等元件被该防护性涂层(14)所覆盖,而且感光元件在此涂层受损之后,会因暴露在可见光下而引发含有数据之元件的状态产生永久性变化。7.根据申请专利范围第1项之半导体装置(20),其特征在于其包含一种感光元件及一种含有数据之可以电力程序控制的元件,此等元件系被防护性涂层(14)所覆盖,而且感光元件在涂层受损之后,会因暴露在可见光下而引发数据之删除并将可以电力程序控制的元件带到一种无法程序控制的状态。8.一种具有一半导体装置(20)之智慧卡,其中该半导体装置(20)包含一个记忆体及一种含有掺入基质中之粉末状填料的防护性涂层(14),其特征在于–该涂层包含第二种填料,其为一种波长在800至1400毫微米范围之辐射吸收剂,及–该第一种填料与基质间的折射率差至少为0.3。图式简单说明:图1系以图形表示一个根据本发明半导体装置之截面,图2表示根据本发明基材上保护性涂层的化学结构,及图3表示两种防护性涂层A及B之辐射穿透度T%系随介于400与2000毫微米间之波长而变化,涂层B是一种根据本发明之涂层。 |
