发明名称 A METHOD OF FABRICATION FINE CIRCUIT
摘要 <p>본 발명의 미세회로 형성방법은 소정의 두께를 갖는 포토레지스트층에 개구영역을 형성한 후 이온빔을 비스듬히 조사하여 절연층을 에칭한다. 이온빔의 조사각도와 포토레지스트층의 두께에 따라 절연층의 에칭영역이 결정되며 에천트를 작용시킴에 따라 절연층의 에칭영역에 대응하는 미세회로를 구현할 수 있게 된다.</p>
申请公布号 KR100352492(B1) 申请公布日期 2002.09.11
申请号 KR19990059987 申请日期 1999.12.21
申请人 삼성전기주식회사 发明人 정원제;함헌주;김영근
分类号 H01L21/311 主分类号 H01L21/311
代理机构 代理人
主权项
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