| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,系在半导体上形成有不同膜厚之第1以及第2氧化膜,其特征具备有:在第2氧化膜形成区域上形成耐氧化性膜之后,在第1氧化膜形成区域上形成第1氧化膜之制程;及去除前述耐氧化性膜之后,于前述第2氧化膜形成区域上形成第2氧化膜之制程。2.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,前述第1以及第2闸极氧化膜各自构成第1和第2电晶体闸极氧化膜。3.一种半导体装置之制造方法,系在形成于半导体上且有不同膜厚的第1以及第2闸极氧化膜上各自形成第1和第2电晶体,其特征具备有:在第2电晶体形成区域上形成耐氧化性膜之制程;将前述耐氧化性膜热氧化为遮罩,并于第1电晶体形成区域上形成第1闸极氧化膜之制程;及去除前述第2电晶体形成领域上的前述耐氧化性膜之后,加以热氧化,并于前述第2电晶体形成领域上形成第2闸极氧化膜之制程。4.一种半导体装置之制造方法,系在形成于半导体上且有不同膜厚的第1以及第2闸极氧化膜上各自形成第1以及第2电晶体,其特征具备有:将形成于前述半导体上的元件分离膜作为遮罩,加以热氧化,并于第1以及第2电晶体形成区域上形成氧化膜之制程;全面地形成耐氧化性膜之后,以光阻膜作为遮罩,将第1电晶体形成领域上的该耐氧化性膜去除之制程;以前述耐氧化性膜作为遮罩,去除前述第1电晶体形成领域上的氧化膜之后,以该耐氧化性膜作为遮罩,加以热氧化,在前述第1电晶体形成区域上形成第1闸极氧化膜之制程;及去除前述第2电晶体形成区域上的前述耐氧化性膜和前述氧化膜之后,加以热氧化,并在前述第3电晶体形成区域上形成第2闸极氧化膜之制程。5.如申请专利范围第3项或第4项之半导体装置的制造方法,其中,前述第1闸极氧化膜的膜厚比第2闸极氧化膜厚,在该第1闸极氧化膜上形成高耐压MOS电晶体,在该第2闸极氧化膜上形成一般耐压的MOS电晶体。6.如申请专利范围第4项之半导体装置的制造方法,其中,在以前述光阻膜作为遮罩且将形成于前述第1电晶体形成区域上的前述耐氧化膜去除之制程中,不会使前述半导体表层露出。7.如申请专利范围第3项或第4项之半导体装置的制造方法,其中具备有:前述第1光阻膜形成制程系将逆导电型不纯物离子植入于一导电型半导体内,并形成低浓度的逆导电型源极汲极层之制程;将逆导电型不纯物离子植入于前述半导体内,并在前述低浓度的逆导电型的源极汲极层内形成高浓度的逆导型电型源极汲极层之制程;将一导电型不纯物离子植入于前述半导体内,并形成用以在前述逆导电型源极层和前述逆导电型汲极层间构成通道之一导电型半导体层之制程;及在前述半导体上经由第1闸极氧化膜而形成第1闸极电极之制程。8.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中,前述低浓度逆导电型的源极汲极层之形成制程系以离子注入法形成,使之可连接于前述闸极电极下方所形成的半导体层。9.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中,前述低浓度逆导电型之源极汲极层的形成制程系至少以离子注入法在前述半导体表层上浅扩张形成,使之可连接于前述闸极电极下方所形成的前述半导体层。图式简单说明:第1图(a)至(c)为本发明第1实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第2图(a)至(c)为本发明第1实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第3图(a)至(c)为本发明第1实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第4图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第5图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第6图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第7图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第8图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第9图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第10图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第11图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第12图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第13图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第14图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第15图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第16图(a)、(b)为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第17图(a)至(c)为以往之半导体装置制造方法的剖视图。第18图(a)、(b)为以往之半导体装置制造方法的剖视图。 |
