| 摘要 |
<p>Die strahlungserzeugende Schichtenfolge (2) ist direkt auf einer Fensterschicht (3) aufgewachsen, die eine oder eine Mehrzahl von aufeinanderfolgenden AlgaAs-Schichten (4, 5, 6) aufweist. Die AlGaAs-Schichten sind mittels Flüssigphasenepitaxie oder einem ähnlichen Verfahren hergestellt und weisen entfernt von der Schichtenfolge (2) jeweils einen Al-Gehalt auf, bei dem AlGaAs für die erzeugte Strahlung durchlässig ist. Der Al-Gehalt nimmt, in jeder der AlGaAs-Schichten (4, 5, 6) in Richtung zur aktiven Schichtenfolge (2) hin ab. Die Fensterschicht (3) besteht alternativ aus einem freitragenden AlGaAs-Epitaxiesubstrat (7), das einen Al-Gehalt aufweist, bei dem AgGaAs für die erzeugte Strahlung durchlässig ist.</p> |
