发明名称 Sense line coupling reduction system
摘要 The inductive and capacitive coupling between adjacent sense lines in a semi-conductor memory is minimized by periodically interchanging the locations of the two sense lines assigned to each column of storage cells in a semi-conductor memory.
申请公布号 US3942164(A) 申请公布日期 1976.03.02
申请号 US19750545737 申请日期 1975.01.30
申请人 SEMI, INC. 发明人 DUNN, WILLIAM C.
分类号 G11C5/02;G11C7/02;G11C7/18;G11C11/419;(IPC1-7):G11C11/40;G11C13/00 主分类号 G11C5/02
代理机构 代理人
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