发明名称 绝缘电气元件之方法及装置
摘要 熟化电气绝缘组合物之方法系以单独及/或附随使用波长从500毫微米至1400毫微米之近红外辐射(NIR)为特征。NIR辐射以有效熟化均匀厚涂层,深入这些涂层以极快速熟化具有纯可热熟化渗透组合物之元件表面。也可合并,例如NIR及UV进行熟化。
申请公布号 TW499789 申请公布日期 2002.08.21
申请号 TW089115922 申请日期 2000.08.08
申请人 香奈特迪国际股份有限公司 发明人 雷纳 布鲁;曼弗瑞德 艾奇贺斯特;古希尔 黑吉曼;克劳斯-威翰 李尼尔特
分类号 H02K15/12;H01F41/12;H05K3/28;C08J3/28;B05D3/06 主分类号 H02K15/12
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种绝缘电气元件之方法,其系藉涂覆一层可聚 合浇铸涂层和可流动形式之渗透组合物及/或瓷漆 于元件表面上,然后利用高能量辐射熟化之,特征 在于此高能量辐射是近红外(NIR)辐射。2.根据申请 专利范围第1项之方法,特征在于辐射的波长为从 500毫微米至1400毫微米,较佳系从750毫微米至1100毫 微米。3.根据申请专利范围第1或2项中任一项之方 法,特征在于NIR辐射之强度最大値位于浇铸及渗透 组合物或瓷漆的吸收度在20和80%之间,较佳系在40 和70%之间的波长范围内。4.根据申请专利范围第1 或2项中任一项之方法,特征在于集中NIR辐射使欲 熟化之涂层内达到适合此涂层组合物之熟化特征 的温度分布。5.根据申请专利范围第1或2项中任一 项之方法,特征在于此涂层可另外藉热气体热加热 方式、藉UV光的方式及/或藉电子束的方式进行熟 化。6.根据申请专利范围第1或2项中任一项之方法 ,特征在于在周遭温度下或以一已预热态浸渍元件 或在渗透过程中加热之。7.根据申请专利范围第6 项之方法,特征在于渗透之后及熟化之前,将元件 加热至部份胶凝的阶段。8.根据申请专利范围第7 项之方法,特征在于部份胶凝之后,以NIR辐射处理 此元件,然后以热力方式及/或UV光将其熟化完全。 9.根据申请专利范围第1或2项中任一项之方法,特 征在于热熟化之前、同时或之后,以NIR辐射并另外 以高能量辐射,最好是UV辐射处理此元件。10.根据 申请专利范围第1或2项中任一项之方法,特征在于 元件的渗透可藉浸入、溢流、真空浸渍、真空压 力浸渍或淋下来进行。11.根据申请专利范围第10 项之方法,特征在于在渗透组合物中藉施加电流至 一程度以加热经渗透元件之导电线圈,使所需量之 渗透组合物胶凝并固定,将此胶凝元件从渗透组合 物中移开之后,流掉未胶凝的渗透组合物,若有需 要可冷却及回收之,接着熟化此元件。12.一种绝缘 电气元件之装置,其包含一涂覆装置以涂敷一层可 聚合浇铸和渗透组合物及/或瓷漆之涂层于元件表 面并包含一个加制装置以加热此元件,特征在于此 加热装置包含至少一个近红外(NIR)辐射源。13.根 据申请专利范围第12项之装置,特征在于加热装置 包含一个NIR辐射源之电气调节器以调整作用在基 材上的波长及/或辐射能量。14.根据申请专利范围 第12或13项中任一项之装置,特征在于其包含光学 过滤装置以调整作用在基材上的波长及/或辐射能 量。
地址 美国