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Die vorliegende Erfindung schafft ein Halbleiterbauelement wie beispielsweise einen IGBT, der durch Verwendung eines Wafers wie beispielsweise eines FZ-Wafers hergestellt wird, der von einem Block abgeschnitten wird und dessen Oberfläche poliert und gereinigt wird. Das Halbleiterbauelement weist eine n-leitende Dotierstoffdiffusionsschicht auf, in die Ionen mit so hoher Dosis implantiert wurden, daß das elektrische Feld beim Ausschalten gestoppt wird, und die zwischen einer Kollektorschicht (9) und einer Basisschicht (2) als Feldstoppschicht (24) zum Stoppen des elektrischen Felds beim Ausschalten vorgesehen ist. Die durch Xfs-Xj definierte Dicke dieser Feldstoppschicht (24) wird auf den Bereich von 0,5 mum bis 3 mum eingestellt, wobei Xfs die Stelle ist, an der die Dotierstoffkonzentration in der Feldstoppschicht (24) das Doppelte der Dotierstoffkonzentration der Basisschicht (2) ist, und Xj die Stelle des Zonenübergangs zwischen der Feldstoppschicht (24) und der Kollektorschicht (9) ist. Damit kann ein Halbleiterbauelement wie beispielsweise ein IGBT geschaffen werden, der unter Verwendung eines kostengünstigen Wafers und mit hoher Ausbeute hergestellt werden kann und geringe Verluste aufweist.
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