| 主权项 |
1.一种半导体雷射装置,具有对应于多个配置在一 基板上之光线发射单元的多个空腔,其中: 该等多个空腔的至少一个空腔具有不同于该等多 个空腔之另一空腔之空腔长度。2.如申请专利范 围第1项之半导体雷射装置,其中: 该等多个空腔系制成具有对应于自各个空腔发射 之光线之振荡波长的空腔长度。3.如申请专利范 围第1项之半导体雷射装置,其中: 该等多个空腔系制成具有皆低于该基板长度之空 腔长度。4.如申请专利范围第1项之半导体雷射装 置,进一步包括: 一配置在邻近空腔间之障壁构件。5.如申请专利 范围第1项之半导体雷射装置,其中: 该等多个空腔之一包括三元素型化合物半导体,而 该等多个空腔之另一空腔则包括四元素型化合物 半导体。6.如申请专利范围第1项之半导体雷射装 置,其中: 该等多个空腔之一发射具有780nm带振荡波长之雷 射光线,该等多个空腔之另一空腔则发射具有650nm 带振荡波长之雷射光线。7.如申请专利范围第1项 之半导体雷射装置,其中: 该等多个空腔之一系提供可用于CD(光碟),而该等 多个空腔之另一空腔则被提供可用于DVD(数位光碟 )。8.一种具有半导体雷射装置之雷射耦合器装置, 其中: 该半导体雷射装置包括多个空腔,对应于多个配置 在基板上之光线发射单元,及 该等多个空腔中至少一个空腔具有不同于该多个 空腔之另一空腔之空腔长度。9.一种具有半导体 雷射装置之资料再生装置,其中: 该半导体雷射装置包括多个对应于多个配置在基 板上之光线发射单元的空腔,及 该等多个空腔中至少一个空腔具有不同于该多个 空腔之另一空腔之空腔长度。10.一种具有半导体 雷射装置之资料记录装置,其中: 该半导体雷射装置包括多个对应于多个配置在基 板上之光线发射单元的空腔,及 该等多个空腔中至少一个空腔具有不同于该多个 空腔之另一空腔之空腔长度。11.一种半导体雷射 之制造方法,包括步骤为: 构成多个空腔对应于多个配置在基板上之光线发 射单元之步骤,及 除去该等多个空腔之至少一个空腔之一部份以设 定该多个空腔之空腔长度。12.如申请专利范围第 11项之制造方法,其中: 该等多个空腔之该至少一个空腔系由乾法除去。 13.如申请专利范围第11项之制造方法,其中: 具有最大空腔长度之该等多个空腔之一系使用裂 解法制成。图式简单说明: 图1为概略透视图,例示根据本发明之具体例之半 导体雷射装置; 图2A为侧视图,例示一实例,其中根据具体例之半导 体雷射装置被安装在光侦检器基板上; 图2B为平面图,例示一实例,其中根据具体例之半导 体雷射装置被安装在光侦检器基板上; 图3A为截面图,例示根据本发明具体例之半导体雷 射装置之制法之步骤; 图3B为截面图,例示根据本发明具体例之半导体雷 射装置之制法之步骤; 图3C为截面图,例示根据本发明具体例之半导体雷 射装置之制法之步骤; 图4A为截面图,例示根据本发明具体例之半导体雷 射装置之制法之步骤; 图4B为截面图,例示根据本发明具体例之半导体雷 射装置之制法之步骤; 图5A为透视图,例示根据本发明具体例之半导体雷 射装置之制法之步骤; 图5B为截面图,例示根据本发明具体例之半导体雷 射装置之制法之步骤; 图6为概略平面图,例示本发明之另一具体例; 图7A为概略截面图,例示本发明之另一具体例; 图7B为概略平面图,例示图7A所示之具体例; 图8为概略平面图,例示本发明之另一具体例; 图9A为透视图,例示根据本发明具体例之雷射耦合 器; 图9B为透视图,例示根据本发明之另一具体例之雷 射耦合器; 图10A为概略平面图,例示有关技艺之半导体雷射; 及 图10B为概略截面图,例示图10A所示之半导体雷射。 |
