发明名称 Halbleiterbauelement
摘要 Es wird ein Siliconharz zum Abdichten eines Halbleiterchips angegeben. Ein gehärtetes Siliconharz, das durch Härten bei einer gegebenen Temperatur erhalten ist, hat eine bei Raumtemperatur gemessene Bruchdehnung (in %) von nicht weniger als 4% einer Eindringzahl bei Raumtemperatur. Wenn ein mit dem Siliconharz abgedichtetes Halbleiterbauelement einer Wärmewechselprüfung oder einer Schwingungsprüfung unterzogen wird, zeigt es Beständigkeit gegenüber Rißbildung, Hohlraumbildung oder Grenzflächen-Abblättern. Das gehärtete Siliconharz soll eine Eindringzahl von nicht weniger als 10 und nicht mehr als 80 und einen Verlustmodul von nicht weniger als 17% des Speichermoduls haben. Ein Harzelement, das aus dem gehärteten Siliconharz besteht und einen Halbleiterchip abdichtet, kann einen Füllstoff, wie etwa Siliciumdioxid oder Aluminiumoxid aufweisen, dessen lineare Wärmeausdehnungszahl niedriger als diejenige des gehärteten Siliconharzes ist.
申请公布号 DE10160638(A1) 申请公布日期 2002.08.01
申请号 DE2001160638 申请日期 2001.12.11
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 HIRAMATSU, SEIKI;YANAURA, SATOSHI;KOGA, MASUO;FUJIOKA, HIROFUMI
分类号 H01L23/28;H01L23/24;H01L23/29;H01L25/07;H01L25/18 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人
主权项
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