半导体集成电路装置及其制造方法

摘要

本发明的目的是在内装适用于输出晶体管保护的消弧二极管的半导体集成电路装置中对使二极管元件截止时的耐压大幅度地提高的二极管元件进行高效率的集成化。在该半导体集成电路装置中,通过使形成为正极区域的P+型第1埋入层35和形成为负极区域的N+型扩散区域41在深度方向上隔开形成,当在二极管元件21上施加了反向偏置电压时,可以在由PN结的第1和第2外延层25、26构成的N型区域上得到宽幅的过渡层形成区域并由所形成的该过渡层确保耐压,从而能够抑制由击穿电流造成的内部元件损坏。

主权项

1.一种半导体集成电路装置，其特征在于：二极管元件，具有一种导电型半导体基板、层叠在该基板表面上的反向导电型第1外延层、与在上述基板和上述第1外延层之间形成的由高浓度杂质扩散层构成的反向导电型第1埋入层重叠形成的由高浓度杂质扩散层构成的一种导电型第1埋入层、层叠在上述第1外延层表面上的反向导电型第2外延层、在上述第1外延层和上述第2外延层之间形成的由高浓度杂质扩散层构成的一种导电型第2埋入层及由高浓度杂质扩散层构成的反向导电型第2埋入层、从上述第2外延层表面扩散到上述一种导电型第2埋入层而形成的由高浓度杂质扩散层构成的一种导电型扩散区域、从上述第2外延层表面扩散到上述反向导电型第2埋入层而形成的由高浓度杂质扩散层构成的反向导电型第1扩散区域、由上述一种导电型第2埋入层和上述一种导电型扩散区域夹在中间的在上述第2外延层上形成的反向导电型阱区、在上述阱区上重叠形成的由高浓度杂质扩散层构成的反向导电型第2扩散区域，在上述二极管元件中，上述一种导电型第1埋入层和上述反向导电型第2扩散区域，在深度方向上隔开形成。