| 发明名称 |
Method of forming a capacitor of a semiconductor device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2326279(B) |
申请公布日期 |
2002.07.31 |
| 申请号 |
GB19980012283 |
申请日期 |
1998.06.09 |
| 申请人 |
* HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
CHAN * LIM |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01G4/10 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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