发明名称 一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟
摘要 本发明公开了一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟,包括:底板、滑块以及固定底板和滑块的底座,底板上开有一孔道,孔道内置有调节衬底与孔道口高度的石英垫片,石英垫片上放置衬底。滑块上开有放置母液的孔道,它的特征是:在孔道的后面与底板相接触的滑块面上开有二个长方形的小槽,小槽的长度方向与滑块的移动方向相垂直,小槽是通过滑块的移动来完成收集外延薄膜生长结束后残留在薄膜上的母液。采用本装置可生长出表面如镜面一样光亮,无沾液的HgCdTe液相外延层,而且本装置也适用于II-Ⅵ族或III-V族化合物半导体的液相外延层上残留母液的去除。
申请公布号 CN1360090A 申请公布日期 2002.07.24
申请号 CN01132131.8 申请日期 2001.11.07
申请人 中国科学院上海技术物理研究所 发明人 陈新强;杨建荣;魏彦锋;徐琰;徐庆庆;何力
分类号 C30B25/02 主分类号 C30B25/02
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 郭英
主权项 1.一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟, 包括:底板(1)、滑块(2)以及固定底板和滑块的底座(9),底板放在底座上,滑 块置在底板的上面; A.底板上开有与外延衬底(5)一样大小的孔道(10),孔道内置有调 节衬底与孔道口高度的石英垫片(4),石英垫片上放置衬底(5); B.滑块上开有放置母液(3)的孔道(11),孔道的大小略小于衬底(5), 以离开衬底的周边0.5mm为宜;其特征在于: C.在孔道(11)的后面与底板(1)相接触的滑块(2)面上开有二个 长方形的小槽(8),小槽的长度方向与滑块的移动方向相垂直。
地址 200083上海市玉田路500号