| 发明名称 | 抛光方法 | ||
| 摘要 | 提供一种抛光方法,不会导致制造成本的增加,可有效地抑制低介电常数膜的介电常数的上升。该抛光方法如下:将具有通过绝缘膜形成的抗蚀剂掩膜的衬底保持在抛光装置的室内,施加RF功率,使导入室内的含氧的气体活化,同时向所述衬底侧施加RF功率,进行所述抗蚀剂掩膜的抛光。 | ||
| 申请公布号 | CN1358610A | 申请公布日期 | 2002.07.17 |
| 申请号 | CN01130249.6 | 申请日期 | 2001.11.15 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 西田贵信 |
| 分类号 | B24B1/00 | 主分类号 | B24B1/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郑立柱;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种抛光方法，其特征在于包括下列步骤：将通过绝缘膜形成的具有抗蚀剂掩膜的衬底保持在抛光装置的室内；施加RF功率，使导入室内的含有氧的气体活化，同时，对所述衬底侧施加RF功率，以便对所述抗蚀剂掩膜进行抛光。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||