| 主权项 |
1.一种闸极分离之快闪记忆体之制作方法,该方法包含下列步骤:(a)在一基底上形成一穿隧介电层、一第一复晶矽层及一第一硬材料层;(b)定义一浮动闸之区域,蚀刻该区域之该第一硬材料层,且热氧化该区域之该第一复晶矽层而形成一复晶矽氧化区;(c)于该复晶矽氧化区,该第一硬材料层之两侧衔接处沈积一间隙壁层;(d)以该间隙壁层为遮幂而蚀刻该复晶矽氧化区,且形成具有一开口之分离闸极;及(e)去除该间隙壁层及该第一硬材料层,且以该分离闸极为遮幂而蚀刻该第一复晶矽层,而形成一隔离之浮动闸;藉由上述步骤以避免在该复晶矽氧化区产生无用之尖端。2.如申请专利范围第1项之方法,系应用于自我对准接触点之制程中,且在步骤(e)之后另包含下列步骤:(f)于该分离闸极之开口内侧沈积一内复晶矽及一薄间隙壁层;(g)于该复晶矽氧化区之两侧沈积一第二复晶矽层及一第二硬材料层;及(h)以离子布植之方式形成一源极及汲极区;藉由上述步骤以避免在该复晶矽氧化区和该源极区产生短路或漏电。3.如申请专利范围第2项之方法,在步骤(h)之后另包含下列步骤:(i)沈积一阻障层以阻止该快闪记忆体内部之复数个接触点被蚀刻;及(j)移除该源极区之氧化物且沈积一栓塞。4.如申请专利范围第1项之方法,系应用于自我对准矽化物之制程中,且在步骤(e)之后另包含下列步骤:(f)于该分离闸极之开口内侧沈积一内复晶矽及一薄间隙壁层;(g)于该复晶矽氧化区之两侧沈积一第二复晶矽层,并进行一回火的程序;及(h)以离子布植之方式形成一源极及汲极区;藉由上述步骤以避免在该复晶矽氧化区和该源极区产生短路或漏电。5.如申请专利范围第4项之方法,在步骤(h)之后另包含下列步骤:(i)沈积一间隙壁介电质且进行蚀刻;及(j)沈积一第三复晶矽层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一硬材料层包含一氮化矽层。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一硬材料层包含一矽氧氮化物层。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该间隙壁层系由氮化物所组成。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该薄间隙壁层系由氮化物所组成。10.如申请专利范围第2项之方法,其中该薄间隙壁层系由氮化物所组成。11.如申请专利范围第4项之方法,其中该薄间隙壁层系由氮化物所组成。12.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二复晶矽层系由矽化钨所组成。13.如申请专利范围第4项之方法,其中该第二复晶矽层系由矽化钨所组成。14.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二硬材料层系由氮化矽所组成。15.如申请专利范围第4项之方法,其中该第二硬材料层系由氮化矽所组成。16.如申请专利范围第3项之方法,其中该栓塞系由钨所组成。17.如申请专利范围第5项之方法,其中该栓塞系由钨所组成。18.如申请专利范围第3项之方法,其中该快闪记忆体内部之源极接触点与汲极接触点均以自我对准的方式完成。19.如申请专利范围第5项之方法,其中对单一记忆体制程而言,该第三复晶矽层系由钨金属矽化物所组成;对嵌入式记忆体制程而言,该第三复晶矽层系由钛金属矽化物所组成。20.一种闸极分离之快闪记忆体之制作方法,该方法包含下列步骤:(a)在一基底上形成一穿隧介电层、一第一复晶矽层及一第一硬材料层;(b)定义一浮动闸之区域,蚀刻该区域之该第一硬材料层,且热氧化该区域之该第一复晶矽层而形成一复晶矽氧化区;(c)以一光罩图案于该复晶矽氧化区定义具有一开口之分离闸极;及(d)去除该第一硬材料层,且以该分离闸极为遮幂而蚀刻该第一复晶矽层,而形成一隔离之浮动闸。21.如申请专利范围第20项之方法,系应用于自我对准接触点之制程中,且在步骤(d)之后另包含下列步骤:(e)于该分离闸极之开口内侧沈积一内复晶矽及一薄间隙壁层;(f)于该复晶矽氧化区之两侧沈积一第二复晶矽层及一第二硬材料层;及(g)以离子布植之方式形成一源极及汲极区;藉由上述步骤以避免在该复晶矽氧化区和该源极区产生短路或漏电。22.如申请专利范围第21项之方法,其中在步骤(g)之后另包含下列步骤:(h)沈积一阻障层以阻止该快闪记忆体内部之复数个接触点被蚀刻;及(i)移除该源极区之氧化物且沈积一栓塞;藉由上述步骤以避免在该复晶矽氧化区产生无用之尖端且避免在该复晶矽氧化区和该源极区产生短路或漏电。23.如申请专利范围第20项之方法,系应用于自我对准矽化物之制程中,且在步骤(d)之后另包含下列步骤:(e)于该分离闸极之开口内侧沈积一内复晶矽及一薄间隙壁层;(f)于该复晶矽氧化区之两侧沈积一第二复晶矽层,并进行一回火的程序;及(g)以离子布植之方式形成一源极及汲极区;藉由上述步骤以避免在该复晶矽氧化区和该源极区产生短路或漏电。24.如申请专利范围第23项之方法,其中在步骤(g)之后另包含下列步骤:(h)沈积一间隙壁介电质且进行蚀刻;及(i)沈积一第三复晶矽层;25.如申请专利范围第20项之方法,其中该第一硬材料层包含一氮化矽层。26.如申请专利范围第20项之方法,其中该第一硬材料层包含一矽氧氮化物层。27.如申请专利范围第20项之方法,其中该间隙壁层系由氮化物所组成。28.如申请专利范围第21项之方法,其中该薄间隙壁层系由氮化物所组成。29.如申请专利范围第23项之方法,其中该薄间壁层系由氮化物所组成。30.如申请专利范围第21项之方法,其中该第二复晶矽层系由矽化钨所组成。31.如申请专利范围第23项之方法,其中该第二复晶矽层系由矽化钨所组成。32.如申请专利范围第21项之方法,其中该第二硬材料层系由氮化矽所组成。33.如申请专利范围第23项之方法,其中该第二硬材料层系由氮化矽所组成。34.如申请专利范围第22项之方法,其中该栓塞由钨所组成。35.如申请专利范围第24项之方法,其中该栓塞由钨所组成。36.如申请专利范围第22项之方法,其中该快闪记忆体内部之源极接触点与汲极接触点均以自我对准的方式完成。37.如申请专利范围第24项之方法,其中对单一记忆体制程而言,该第三复晶矽层系由钨金属矽化物所组成;对嵌入式记忆体制程而言,该第三复晶矽层系由钛金属矽化物所组成。图式简单说明:图1(a)至(j)系习知之一快闪记忆体自我对准接触点之制作流程;图2(a)至图2(d)系习知之一快闪记忆体全相容性自行对准矽化物之制作流程;图3(a)至(i)系本发明之一快闪记忆体自我对准接触点之制作流程;图4(a1),4(b1)和4(d1)系习知之浮动闸复晶矽光罩之制作流程;图4(a2),4(b2),4(c1),4(c2),4(d2)和4(e)系本发明之浮动闸复晶矽光罩之制作流程;及图5系在自我对准接触点之制作流程中同时完成源极与汲极之接触点定义之示意图。 |
