| 主权项 |
1.一种表面量测装置,包括:一量测单元,接收来自一表面之量测区域之资讯;以及一第一摄像摄影机,具有包含该量测区域之一第一视场。2.如申请专利范围第1项所述之表面量测装置,进一步包括至少一可控制平移平台系连接于该量测单元,以改变量测区域在该表面之位置。3.如申请专利范围第2项所述之表面量测装置,其中该至少一平移平台系一直接驱动平移平台。4.如申请专利范围第1项所述之表面量测装置,进一步包括一可转动夹头连接于该表面。5.如申请专利范围第1项所述之表面量测装置,其中该表面与量测单元系具有相对四度自由移动。6.如申请专利范围第1项所述之表面量测装置,进一步包括一第二摄像摄影机具有一第二视场。7.如申请专利范围第6项所述之表面量测装置,其中该第二视场系小于该第一视场。8.如申请专利范围第7项所述之表面量测装置,其中该第二视场包含该量测区域。9.如申请专利范围第1项所述之表面量测装置,其中该量测单元系一薄膜厚度量测单元。10.如申请专利范围第1项所述之表面量测装置,其中该量测单元系一表面轮廓量测单元。11.如申请专利范围第1项所述之表面量测装置,其中该量测单元系一椭圆仪。12.如申请专利范围第1项所述之表面量测装置,其中该表面系为液体所浸湿。13.一种半导体处理装置,包括:一晶圆处理站;以及一量测站,分离但连接于该晶圆处理站,其中该量测站包括一紫外线光源照射于该表面之量测区域。14.如申请专利范围第13项所述之半导体处理装置,其中该量测区域系为液体所浸湿。15.如申请专利范围第13项所述之半导体处理装置,其中该量测单元包括光学元件,其包含弯曲反射表面。16.一种半导体处理装置,包括:一晶圆处理站;以及一量测站分离但连接于该晶圆处理站,其中该量测站包括一紫外线光源照射于该表面之量测区域,以及至少一光谱仪系以光学方式连接于该表面之量测区域。17.如申请专利范围第16项所述之半导体处理装置,其中该量测区域系为液体所浸湿。18.一种半导体处理装置,包括:一晶圆处理站;以及一量测站分离但连接于该晶圆处理站,其中该量测站包括一晶圆夹头,用以相对于该量测站转动该晶圆。19.如申请专利范围第18项所述之半导体处理装置,其中该量测区域系为液体所浸湿。20.一种表面反射仪,包括:一光源;一物端光学仪,可相对于一晶圆表面平移;以及至少一光检知器。21.如申请专利范围第20项所述之表面反射仪,其中该晶圆表面之量测区域系为液体所浸湿。图式简单说明:图1系本发明实施例系统硬体全貌。图2A及图2B系说明本发明实施例之新颖性。图3系表示反射器实施例。图4系表示晶圆对正器之实施例。图5系说明晶圆对正器之校准。图6系表示本发明改善该晶圆对正器之精确度。图7系说明利用一大型视场(LFOV)照像机以及小型视场(SFOV)照像机避免在制程中探索晶圆之特定区域。图8说明利用LFOV之优点可易于在训练中决定尺寸。图9表示镜状自动聚焦系统。图10说明一不对称之镜状自动聚焦系统。图11说明不对称镜状自动聚焦法中倾斜之灵敏度。图12表示该自动聚焦系统之一特定实施例。图13说明利用对称镜状自动聚焦系统所增进对表面位移测量之灵敏度。图14表示该对称镜状自动聚焦系统之表面倾斜灵敏度。图15表示该自动聚焦系统之另一实施例。图16说明图15所示实施例之表面倾斜灵敏度。图17说明晶圆支撑器实施例。图18说明晶圆支撑器实施例。图19说明晶圆支撑器实施例。图20说明晶圆支撑器实施例。图21说明晶圆支撑器实施例细部。图22说明晶圆支撑器实施例细部。图23说明晶圆浸入硬体实施例,在晶圆浸入之前。图24说明晶圆浸入硬体实施例,在晶圆浸入开始阶段。图25说明晶圆浸入硬体实施例,在晶圆浸入之后阶段。图26说明在转动晶圆夹头中晶圆之转动。图27说明整合量测装置之一实施例。 |
