| 主权项 |
1.一种半导体元件,其包含有: 一个半导体单元体,其被搭接在一个第一金属层上 ; 一个接线,用以将半导体单元体的电极垫电气连接 至一个第二金属层;以及 一个树脂封装体,用以密封该半导体单元体, 其中该第一金属层及该第二金属层的后表面与该 树脂封装体的一个底部齐平。2.如申请专利范围 第1项的半导体元件,其中该第一金属层具有一个 较该半导体单元体之一底表面为大的面积。3.如 申请专利范围第1项的半导体元件,其中该第一金 属层较该第二层金属层为厚,且该第一金属层具有 一个较该半导体单元体之底表面为小的面积。4. 如申请专利范围第1项的半导体元件,其中该第二 金属层是个别地自该树脂封装体之一个底部被暴 露出。5.一种用以制造一个半导体元件的方法,其 包含下列步骤: 于一个可挠性扁平金属基材上形成一个电沉积架, 该电沉积架被图案化而具有用于外部延伸之第一 金属层以及第二金属层; 分别地将数个半导体单元体(每一个的上面皆具有 电极垫)连续地安装第一金属层上; 将电极垫接线搭接至坐落在该等该等半导体单元 体之间的第二层金属层; 以树脂密封被安装在该电沉积架上的该等半导体 单元体; 移除该金属基材来提供一个树脂密封体;以及 藉由以空气来切割被形成在第一及第二金属层上 的标记而将该等树脂密封体切割成为个别的半导 体元件。6.如申请专利范围第5项的方法,其于切割 步骤之后更进一步包含下列步骤: 将用做为电极的金属层沉积至从该树脂密封体之 一后表面被暴露出的第二金属层上。7.如申请专 利范围第5项的方法,其中 于切割该树脂密封体的步骤中,是沿着每一个第二 金属层的中心线来做切割,俾以对邻接的半导体单 元体提供用于外部延伸之金属层。8.如申请专利 范围第5项的方法,其中使用金属基材做为一个底 模而将该电沉积架与该等半导体单元体树脂密封 在一起。图式简单说明: 第1A及1B图是一个依据本发明之半导体元件的一个 具体例之一个剖面图及其底视图; 第2A及2B图是一个依据本发明之半导体元件的一个 具体例之一个剖面图及其底视图; 第3A、3B及3C图分别是一个金属基材之一个平面图 、一个具有一个图案化金属层之金属基材的一个 平面图以及一个该图案化金属层之一个放大的局 部剖视平面图; 第4A至4E图是为剖面图,其等显示在依据本发明的 一种用以制造一个半导体元件的方法之具体例中 个别的步骤; 第5A至5D图是为剖面图,其等显示在依据本发明之 一个用以制造一个半导体元件的方法之具体例中, 接随在第4E图之步骤后的个别步骤; 第6A及6B图分别是一个树脂密封体之一个部分局部 剖视透视图以及该树脂密封体的一个底视图; 第7图是依据本发明之半导体元件的另外一个具体 例的一个底视图;以及 第8图是一个传统的半导体元件的一个剖面图。 |
