| 发明名称 | 叠层体、叠层体的制备方法及半导体元件 | ||
| 摘要 | 一种叠层体、叠层体的制备方法及半导体元件。通过酸处理等清洗Si衬底1并加热它而将它表面的附着物除去。其次,将已等离子化的N供向Si衬底1的表面,而利用该游离基N的表面活性剂效果在Si衬底1的表面上形成和Si结晶晶格不匹配的AlN结晶层80。因AlN结晶层80的晶格间距离大致和AlN结晶层本来的晶格常数一样,故AlN结晶层80内不存在由于它和Si衬底1的晶格常数的不同而引起的应变,而这种情况在它和Si衬底1晶格匹配时是存在的。 | ||
| 申请公布号 | CN1355931A | 申请公布日期 | 2002.06.26 |
| 申请号 | CN00808799.7 | 申请日期 | 2000.07.06 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 西川孝司 |
| 分类号 | H01L21/318;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;H01L21/8247;H01L27/10 | 主分类号 | H01L21/318 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种叠层体，包括：含有结晶层的衬底和结晶性化合物膜，该膜为在上述结晶层的主面上外延生长、其结晶晶格和上述结晶层的结晶晶格在沿上述结晶层的方位的方位上不匹配、且其原子间的结合力比上述结晶层的大。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||