| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft Schichten in Substratscheiben. Aufgabe der Erfindung ist es, Schichten in Substratscheiben anzugeben, bei dem die Nachteile konventioneller Anordnungen überwunden werden, um bei vergleichsweise geringen Kosten auf der einen Seite eine ausreichende Latch-up-Festigkeit in stark skalierten, digitalen CMOS-Schaltungen zu erreichen und auf der anderen Seite geringe Substratverluste/-Einkopplungen für analoge Hochfrequenzschaltungen zu sichern und darüber hinaus das Bauelementeverhalten nicht schädlich zu beeinflussen. Erfindungsgemäss wird diese Aufgabe dadurch gelöst, dass in einem hochohmigen p-Si-Substrat (2) mit einer oder mehreren vergrabenen kohlenstoffreichen Si-Schichten (3) unter einer epitaktischen Schicht, der Si-Cap-Schicht (4) durch Unterdrückung der Dotantendiffusion und Defektgenerierung beim Ausheilen von Implantschäden eine im Vergleich zu konventionellen Substratscheiben grössere Implantationsdosis für retrograde Wannenprofile angewendet und damit eine Reduktion des Wannenwiderstandes und schliesslich eine Erhöhung der Latch-up-Festigkeit erreicht wird.</p> |
