| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其系应用在一具有主动元件区的基板上,包含下列步骤:a.在该主动元件区上方形成一第一绝缘层;b.在该第一绝缘层与该主动元件区间形成一节点接触;c.在该第一绝缘层上方依序形成一保护层以及一第二绝缘层;d.在该第一绝缘层与该第二绝缘层间形成一皇冠型结构;e.在该皇冠型结构表面形成多数个分散的晶粒,且在未被该晶粒所覆盖处形成一鳍状结构;f.在该皇冠型结构表面(包括该鳍状结构)形成一非晶矽薄膜;g.形成一电容介电层;h.形成一上层电极。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中a步骤所述之第一绝缘层可为氮化矽(Si3N4)。3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中b步骤所述之节点接触包含一插塞(Plug),以作为该主动元件区与该电容器之电性连结。4.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中c步骤所述之保护层可为硼磷矽玻璃(BPSG)。5.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中c步骤所述之保护层厚度可介于10000-25000之间。6.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中c步骤所述之第二绝缘层可为氮化矽(Si3N4)。7.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中所述之e步骤可以化学气相沉积法实施之。8.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中e步骤所述之沉积出多数个分散的晶粒系可指:在该皇冠型结构表面进行一薄膜之沉积且随着沉积反应的进行(in-situ doped),同时利用一气体沉积出多数个分散的粗糙多晶矽晶粒,再经一回火(annealing)过程处理。9.如申请专利范围第8项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中所述之气体可为矽甲烷(SiH4)。10.如申请专利范围第8项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中所述之薄膜可为非晶矽薄膜。11.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中e步骤所述之晶粒系可为具有弧度之半圆球型结构。12.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中e步骤所述之晶粒之大小系可藉由压力、温度与时间来控制。13.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中e步骤所述之晶粒之大小可为800-3500之间。14.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中e步骤所述之分散的晶粒系指:晶粒与晶粒间不互相重叠,且晶粒与晶粒间存有一晶粒间距,该晶粒间距之大小系相对取决于该晶粒之大小。15.如申请专利范围第14项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中所述之晶粒间距之大小可为1000-4000之间。16.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中e步骤所述之一鳍状结构系指对未被该晶粒所覆盖之处,形成一定宽度与深度之凹状槽沟。17.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中f步骤所述之非晶矽薄膜不填满该鳍状结构,以保有该鳍状结构内之凹槽空间。18.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中f步骤所述之非晶矽薄膜之大小可介于500-800之间。19.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中所述在g步骤之前更可包括一g1步骤,该g1步骤系可将光阻涂布于该非晶矽薄膜上而形成一光阻层,并且该鳍状结构被光阻涂满。20.如申请专利范围第19项所述之动态随机存取记忆体之电容器的形成方法,其中所述之g1步骤之后更可加入一g2步骤,该g2步骤系可以化学机械研磨法磨除该光阻层到该第二绝缘层为止。图式简单说明:图一 习用技术的堆叠式电容结构示意图。图二 习用技术的鳍状电容结构示意图。图三 为本发明之半导体基板截面图。图中显示形成容器之基本结构。图四 为本发明之半导体基板截面图。图中显示分散的晶粒的形成。图五 为本发明之半导体基板截面图。图中显示鳍状电容结构的形成。图六 为本发明之半导体基板截面图。图中显示光阻层的形成。图七 为本发明之半导体基板截面图。图中显示电容介电层的形成。 |
