| 主权项 |
1.一种在一研磨装置中研磨半导体晶圆之方法,该 装置包括一个安装构件、一个具有一中央毂轴线 之毂、一个具有与该毂轴线相偏移的一中央转台 轴线之转台,该方法包含以下步骤: a)将一个第一晶圆安装在该安装构件上, b)经由该毂以第一真空压力抽取真空而将该安装 构件固定至该毂,该第一真空压力在研磨期间保持 固定, c)使该毂沿该毂轴线旋转, d)使该转台上所安装之一个研磨垫沿该转台轴线 旋转, e)并将该晶圆的一个表面及该研磨垫互相接触,以 研磨该晶圆的一个表面, f)该晶圆完成研磨之后,卸下该晶圆, g)决定所研磨晶圆的形状, h)利用决定该第一晶圆形状所获得之资讯,来选择 一第二真空压力,并对于一后续晶圆重复步骤a)至f ),并以该第二真空压力取代步骤b)中之第一真空压 力,且该第二真空压力足以使该安装构件变形并使 该晶圆变形,而改善后续晶圆的表面之平整性与平 行性。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该决定 晶圆形状的步骤包括:对于该晶圆决定滚降値。3. 如申请专利范围第2项之方法,其中该选择第二真 空压力的步骤包括:以实验获得的一个扩倍器将该 滚降値进行扩倍,以获得一个压力差値,随后将该 压力差値施加至该第一真空压力以选择该第二真 空压力。4.如申请专利范围第1项之方法,其中以一 部电脑自动控制该选择第二真空压力之步骤。5. 如申请专利范围第1项之方法,进一步包含:选择对 于该第一晶圆之一毂速度及对于多数后续晶圆之 一新的毂速度,该毂以对于该第一晶圆与该等后续 晶圆所选之毂速度沿该毂轴线旋转,且在该第一晶 圆与该等后续晶圆研磨期间使该毂速度维持概呈 固定,对于该第一晶圆与该等后续晶圆所选的毂速 度使得:该第一晶圆与该等后续晶圆的研磨期间, 该研磨垫沿该毂轴线概呈对称状磨损,因此延长该 研磨垫的使用寿命,并改良所产生晶圆之平整性。 6.一种在一研磨装置中研磨半导体晶圆之方法,该 装置包括一个安装构件、一个具有一中央毂轴线 之毂、一个具有与该毂轴线相偏移的一中央转台 轴线之转台,该方法包含以下步骤: a)将一个第一晶圆安装在该安装构件上, b)将该安装构件固定至该毂, c)对于该第一晶圆选择一个毂速度, d)使该毂以该毂速度沿该毂轴线旋转,并在该第一 晶圆研磨期间使该毂速度保持概呈固定, e)使该转台上所安装之一个研磨垫以固定的转台 速度沿该转台轴线旋转, f)将该第一晶圆的一个表面及该研磨垫互相接触, 以研磨该晶圆的一个表面, g)该晶圆完成研磨之后,卸下该第一晶圆, h)对于后续晶圆重复步骤a)至g),包含此步骤的该方 法包括系对于至少一个该等后续晶圆选择一新的 毂速度,并使该毂以该新的毂速度沿该毂轴线旋转 ,该新的毂速度与对于一先前晶圆所选之毂速度不 同,所以在该等后续晶圆研磨期间,该研磨垫沿该 毂轴线概呈对称状磨损,因此延长该研磨晶圆的使 用寿命,并使所产生的晶圆保持平整性。7.如申请 专利范围第6项之方法,其中该方法进一步包括:以 数学方式来决定可让该研磨垫沿该毂轴线实验理 论上具有对称状磨损之最佳毂速度,至少对于部份 晶圆所选之该毂速度系与该最佳毂速度不同。8. 如申请专利范围第7项之方法,其中对于该组矽晶 圆的第一晶圆所选之该毂速度系小于该最佳毂速 度,且对于该组矽晶圆中最后一个晶圆所选之该毂 速度系大于该最佳毂速度。9.如申请专利范围第6 项之方法,其中该新的毂速度系与对于紧接在后的 该晶圆所选之毂速度不同。10.如申请专利范围第6 项之方法,其中对于各个后续晶圆选择一个新的毂 速度,藉由将一预定增量加到对于紧接在后的该晶 圆所选之毂速度,来选择该新的毂速度。11.如申请 专利范围第8项之方法,其中以一第一真空压力抽 取真空而将该安装构件固定至该毂。12.如申请专 利范围第11项之方法,进一步包含以下步骤:决定该 晶圆的形状,及利用决定该第一晶圆形状所获得之 资讯,来选择一第二真空压力,该第二真空压力足 以使该安装构件变形并使该晶圆变形,进一步包含 以该第二真空压力加以取代而研磨至少一个该等 后续晶圆之步骤。13.如申请专利范围第12项之方 法,其中该决定晶圆形状的步骤包括:对于该晶圆 决定滚降値。14.如申请专利范围第13项之方法,其 中该选择第二真空压力的步骤包括:以实验获得的 一个扩倍器将该滚降値进行扩倍,以获得一个压力 差値,随后将该压力差値施加至该第一真空压力, 以选择该第二真空压力。15.一种在一研磨装置中 研磨半导体晶圆之方法,该装置包括:一个安装构 件、一个具有一中央毂轴线之毂、一个具有与该 毂轴线相偏移的一中央转台轴线之转台,该装置进 一步包括以电子方式连接至一个测量机之一部电 脑,该方法包含以下步骤: a)将一个第一晶圆安装在该安装构件上, b)经由该毂以第一真空压力抽取真空而将该安装 构件固定至该毂,该电脑已选择该第一真空压力, c)使该毂沿该毂轴线旋转, d)使该转台上所安装之一个研磨垫沿该转台轴线 旋转, e)并将该晶圆的一个表面及该研磨垫互相接触,以 研磨该晶圆的一个表面, f)该晶圆完成研磨之后,卸下该晶圆, g)利用该测量机决定所研磨晶圆的滚降値,该测量 机将该滚降値以讯号通知该电脑, h)利用该第一晶圆的滚降値使该电脑自动选择一 个第二真空压力, i)对于一个后续晶圆重复步骤a)至f),以该第二真空 压力取代步骤b)中之第一真空压力,且该第二真空 压力足以使该安装构件变形并使该晶圆变形,以改 善该后续晶圆的表面之平整性与平行性。16.如申 请专利范围第15项之方法,其中该电脑以实验获得 的一个矿倍器将该滚降値进行扩倍,以获得一个压 力差値,随后将该压力差値施加至该第一真空压力 ,以选择该第二真空压力。17.如申请专利范围第16 项之方法,其中处理多数的后续晶圆,且其中该电 脑自动选择该毂旋转之毂速度,该电脑预先设定程 式以使该毂速度在该第一晶圆研磨期间保持固定, 并预先设定程式而在至少部份的该等后续晶圆研 磨期间以增量方式增加该毂速度。图式简单说明: 图1为研磨装置之部份剖视图。 |
