薄膜电晶体

摘要

在TFT10中，一通道区15、一源极电极16和一汲极区17被形成于一已被形成为岛状的图案多晶半导体膜100上，通道区15隔着一闸极绝缘膜12而面对一闸极电极l4，源极电极16被连接至通道区15，且汲极区17被连接至此源极区16之相反侧上之通道区门15。通道区15中，在结晶化程序被实施于半导体膜100上之后，藉由引进诸如惰性气体、金属、第三族元素、第四族元素及第五族元素之杂质来形成再结合中心150，用以捕获小数目的载子(电洞)。本发明因此提供抑制双极电晶体型行为之配置，以使饱合电流稳定，并提供能够改善可靠度的TFT。

主权项

1.一种薄膜电晶体,其中,一通道区及源极和汲极区被形成于一半导体膜上,该通道区隔着一闸极绝缘膜而面对一闸极电极,该源极和汲极区连接至该通道区,且该半导体膜被形成在一绝缘基体的表面上,该薄膜电晶体的特征在于用以捕获载子之再结合中心被形成在该通道区中。2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中该再结合中心被集中在该通道区中之该汲极区附近的位置。3.如申请专利范围第2项之薄膜电晶体,其中该再结合中心被集中在与该通道区中之汲极区离开等于通道长度之1/3到1/10之距离的区域中。4.如申请专利范围第1项到第3项任一项之薄膜电晶体,其中该再结合中心系藉由被引进入该通道区中之杂质或藉由结晶缺陷而被形成。5.如申请专利范围第4项之薄膜电晶体,其中该等杂质系选自由惰性气体、金属、第三族元素、第四族元素及第五族元素所组成之族群的至少一种。6.如申请专利范围第1项到第3项任一项之薄膜电晶体,其中该再结合中心具有在从11013cm-3与11020cm-3之范围间的密度。7.如申请专利范围第1项到第3项任一项之薄膜电晶体,其中该再结合中心具有在从110-13cm2与110-20cm2之范围间的载子捕获截面。8.如申请专利范围第1项到第3项任一项之薄膜电晶体,其中该再结合中心被集中在该闸极电极位于该通道区之厚度方向上的一侧。9.如申请专利范围第1项到第3项任一项之薄膜电晶体,其中该再结合中心被集中在该闸极电极位于该通道区之厚度方向上之一侧的相反侧。图式简单说明:图1系例举本发明之TFT实施例1之结构的剖面图;图2(A)到2(E)系显示图1中所示之TFT制造方法的剖面图;图3(A)到3(D)系在图1中所示之TFT制造方法中,显示在图2所示之诸程序后继续进行之各程序的剖面图;图4(A)到4(C)系在图1中所示之TFT制造方法中,显示在图3所示之诸程序后继续进行之各程序的剖面图;图5系例举本发明之TFT实施例2之结构的剖面图;图6(A)到6(C)系显示图5中所示之TFT制造方法的剖面图;图7(A)到7(D)系在图5中所示之TFT制造方法中,显示在图6所示之诸程序后继续进行之各程序的剖面图;图8(A)及8(B)系例举本发明之TFT实施例3之结构的剖面图,及显示其个别修改例之剖面图;图9(A)到9(F)系显示图8(A)中所示之TFT制造方法的剖面图;图10(A)到10(E)系在图8(A)中所示之TFT制造方法中,显示在图9所示之诸程序后继续进行之各程序的剖面图;图11(A)系液晶显示装置之主动矩阵基体的方快图,且图11(B)系建构其驱动电路之CMOS电路的等效电路图;图12系例举习知TFT之结构的剖面图;图13(A)到13(E)系显示图12中所示之习知TFT制造方法的剖面图;图14系用于雷射退火(结晶化程序)之雷射退火装置的示意方块图;图15(A)到15(E)系在图12中所示之TFT制造方法中,显示在图13中所示之诸程序后继续进行之各程序的剖面图;图16(A)到16(D)系用以解释TFT之操作的图形;以及图17系显示本发明之TFTs、习知TFT及模型TFT之电晶体特性的图表。