| 主权项 |
1.一种结晶性芳族聚酯系树脂预发泡体粒子,其特 征为:可用于模型内发泡成形体,松密度为0.01至1.0g /cm3且该结晶化高峰温度为130至180℃。2.如申请专 利范围第1项之芳族聚酯系树脂预发泡体粒子,其 中,该芳族聚酯系树脂为含有由异苯二甲酸所衍生 之单元及由1,4-环己烷二醇所衍生之单元中至少一 种单元且总量在0.5至10重量%范围者。3.如申请专 利范围第1项之芳族聚酯系树脂预发泡体粒子,其 中,该芳族聚酯系树脂对于该树脂100重量份混合有 0.005至0.1重量份范围内之聚 四氟乙烯树脂者。4.如申请专利范围第1项之芳族 聚酯系树脂预发泡体粒子,其中,该芳族聚酯系树 脂系由挤出发泡体切断制造者。5.如申请专利范 围第4项之芳族聚酯系树脂预发泡体粒子,其中,将 具有单丝状挤出发泡体切成所指定之长度,形成略 圆柱状者。6.如申请专利范围第5项之芳族聚酯系 树脂预发泡体粒子,其中,该挤出发泡体添加熔融 张力改质剂,将芳族聚酯系树酯之熔融张力调整为 0.7至3.0g之状态,进行挤出发泡者。7.如申请专利范 围第6项之芳族聚酯系树脂预发泡体粒子,其中,该 连续气泡率为5至35%者。8.如申请专利范围第4项之 芳族聚酯系树脂预发泡体粒子,其中,该预发泡体 粒子更在加压状态下含浸于气体后至少进行一次 再发泡过程,调整松密度者。9.如申请专利范围第1 项之芳族聚酯系树脂预发泡体粒子,其中,该结晶 化度为1至8%者。10.一种模型内发泡成形体,其特征 为:于将模型内发泡成形用之阳模及阴模封闭所形 成之模槽内充填申请专利范围第1项之芳族聚酯系 树脂预发泡体粒子后加热,于模型内发泡成形者。 11.如申请专利范围第10项之模型内发泡成形体,其 中,该表观密度为0.01至1.0g/cm3且预发泡体粒子之熔 合率在40%以上者。12.一种发泡积层体,其特征为: 将申请专利范围第10项之模型内发泡成形体与芳 族聚酯系树脂之薄膜或薄片进行层压、一体化。 13.如申请专利范围第12项之发泡积层体,其中,该薄 膜或薄片从模型内发泡成形体之耐脱层强度为5N/ 25mm以上者。14.如申请专利范围第12项之发泡积层 体,其中,该积层体系经由下述(1)至(3)各步骤制造, 其中; 步骤(1):于将模型内发泡成形用之阳模及阴模封闭 所形成之模槽内预先安装芳族聚酯系树脂之薄膜 或薄片之步骤; 步骤(2):将上述阳模及阴模封闭,接着在模槽内充 填申请专利范围第1项之芳族聚酯系树脂预发泡体 粒子之步骤;以及 步骤(3):于进行加热使模型内发泡成形之同时,将 该模型内发泡成形体与薄膜或薄片一体化之层压 步骤。15.如申请专利范围第2项之芳族聚酯系树脂 预发泡体粒子,其中,该芳族聚酯系树脂对于该树 脂100重量份混合有0.005至0.1重量份范围内之聚四 氟乙烯树脂,将具有单丝状挤出发泡体切成所指定 之长度,形成略圆柱状者。16.如申请专利范围第15 项之芳族聚酯系树脂预发泡体粒子,其中,该挤出 发泡体添加熔融张力改质剂,将芳族聚酯系树脂之 熔融张力调整为 0.7至3.0g之状态,进行挤泡,该连续气泡率为5至35%者 。17.如申请专利范围第16项之芳族聚酯系树脂预 发泡体粒子,其中,该预发泡体粒子更在加压状态 下含浸于气体后至少进行一次再发泡过程,调整松 密度,该结晶化度为1至8%者。18.一种模型内发泡成 形体,其中,于将模型内发泡成形用之阳模及阴模 封闭所形成之模槽内充填申请专利范围第17项之 芳族聚酯系树脂预发泡体粒子后加热,于模型内发 泡成形者。19.如申请专利范围第18项之模型内发 泡成形体,其中,该表观密度为0.01至1.0g/cm3且预发 泡体粒子之熔合率在40%以上者。20.如申请专利范 围第13项之发泡积层体,其中,该积层体系经由下述 (1)至(3)各步骤制造,其中; 步骤(1):于将模型内发泡成形用之阳模及阴模封闭 所形成之模槽内预先安装芳族聚酯系树脂之薄膜 或薄片之步骤; 步骤(2):将上述阳模或阴模封闭,接着在模槽内充 填申请专利范围第1项之芳族聚酯系树脂预发泡体 粒子之步骤;以及 步骤(3):于进行加热使模型内发泡成形之同时,将 该模型内发泡成形体与薄膜或薄片一体化之层压 步骤。 |
