| 摘要 |
<p>L'invention concerne un support de verre de silice destiné à la production de semi-conducteurs dont la surface comporte un grand nombre de protubérances et de creux, et un grand nombre de petites aspérités réparties uniformément sur les protubérances et les creux, ainsi qu'un procédé permettant de produire ce support. La largeur maximale des petites aspérités est de 1 à 50 νm et leur hauteur de la base au sommet est de 0,1 à 10 νm. La protubérance est constituée d'une structure saillante pyramidale tronquée ou d'une partie intermédiaire entre des gorges, et le creux est constitué d'une pluralité d'encoches en forme d'alvéoles présentes entre les structures saillantes ou dans une gorge et une partie intermédiaire entre des gorges. La largeur maximale de la base de la structure saillante est de 70 à 1000 νm, sa hauteur de la base au sommet de 10 à 100 νm, les gorges sont espacées de 20 à 300 νm et présentent une largeur de 0,5 à 50 νm, et l'encoche en forme d'alvéole présente une largeur de 20 à 300 νm. Ce support de verre de silice est peu sensible à la formation de particules par séparation du revêtement et résiste aux craquelures, de sorte qu'il présente une longue durée de vie utile. Il peut être produit par un procédé simple consistant à immerger un support en verre de silice dans une première solution de traitement contenant du fluorure d'hydrogène, du fluorure d'ammonium et un acide organique, puis à immerger ce support dans une seconde solution de traitement contenant une proportion d'acide organique plus importante que la première solution, ou à usiner la surface du support en verre de silice puis à la traiter dans une solution de traitement contenant du fluorure d'hydrogène et du fluorure d'ammonium.</p> |
