| 发明名称 |
Halbleiterbauelement mit Passivierungsschicht aus einem Benzocycobuten-Polymer und Siliziumpulver |
| 摘要 |
<p>In a semiconductor device having a passivation layer (9), the passivation layer is made of benzocyclobutene polymer and silicon powder. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
DE69525501(D1) |
申请公布日期 |
2002.03.28 |
| 申请号 |
DE1995625501 |
申请日期 |
1995.10.26 |
| 申请人 |
NEC CORP., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
SHIMOTO, TADANORI;MATSUI, KOJI |
| 分类号 |
H01L21/312;H01L23/29;(IPC1-7):H01L23/29 |
主分类号 |
H01L21/312 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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