发明名称 集成半导体存储器存储单元的功能检测法
摘要 在集成半导体存储器的存储单元(MC)的一种功能检测法内,测试存储单元的一个第一组。对每个检测的存储单元独立的检测结果(A,B)用至少三次拷贝暂存在存储单元(MC)的一个第二组内。在每次检测结果(A,B)的拷贝之间进行比较并进行分析处理。第二组(2)的有关存储单元的地址,通过地址转换(T)确定。该地址转换(T)是如此设计的,使得在存储单元(MC)的有故障的第二组(2)内的功能故障的大量累积不影响检测法的结果。
申请公布号 CN1339163A 申请公布日期 2002.03.06
申请号 CN00803390.0 申请日期 2000.02.01
申请人 因芬尼昂技术股份公司 发明人 W·戴恩;E·哈默尔
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 马铁良;张志醒
主权项 1.集成半导体存储器的存储单元(MC)功能检测法,其中,-检测存储单元(MC)的一个第一组(1),-对于每一被测试存储单元的测试结果(A、B)分别地用至少三次拷贝的方式中间储存在存储单元(MC)的一个第二组(2)内,-在每一个测试结果(A、B)的拷贝之间进行比较,-依据对拷贝的比较求出关于第一组(1)存储单元(MC)的功能作用的信息和-借助地址对存储单元(MC)进行存取,其特征为,-存储单元(MC)的地址包含第一地址部分(ADR1),经其对存储单元(MC)有关组(1,2)存取,以及包含第二地址部分(ADR2),经其对有关组(1,2)内的存储单元(MC)存取,-存储单元(MC)的地址包含地址位(a0;a3)的数目以及-从第一组(1)的各被测试的存储单元的相应的第二地址部分(ADR2)出发,第二组(2)的一个存储单元(MC)的第二地址部分(ADR2),经地址转换(T)通过至少改变一个地址位(a0;a3)产生。
地址 德国慕尼黑