| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储装置,包括:由场效应型晶体管和形成在该场效应型晶体管上的强电介质电容所构成的MFMIS型晶体管。在将数据存入该MFMIS型晶体管,并且强电介质膜为极化状态时,在上部电极和下部电极之间的电位差V、强电介质膜的表面电荷密度σ以及强电介质膜的极化电荷p与强电介质膜的厚度d以及真空的介电常数ε<SUB>0</SUB>之间成立的关系式V=(d/ε<SUB>0</SUB>)×(σ－p)中的(σ－p)的值,不随着时间的经过而发生实质性的变化。 | ||
| 申请公布号 | CN1337717A | 申请公布日期 | 2002.02.27 |
| 申请号 | CN01118761.1 | 申请日期 | 2001.06.11 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 嶋田恭博;加藤刚久 |
| 分类号 | G11C11/40;H01L27/105 | 主分类号 | G11C11/40 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 黄永奎 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，包括：由场效应型晶体管和形成在该场效应型晶体管上的强电介质电容所构成的MFMIS型晶体管；其特征是：在将数据存入所述MFMIS型晶体管，并且强电介质膜为极化状态时，在上部电极和下部电极之间的电位差V、强电介质膜的表面电荷密度σ以及强电介质膜的极化电荷p与强电介质膜的厚度d以及真空的介电常数ε0之间成立的关系式V＝(d/ε0)×(σ-p)中的(σ-p)的值，不随着时间的经过而发生实质性的变化。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||