| 摘要 |
발명의 목적은 특정 영역들에서만의 제품의 강도높은 처리, 특히 플라즈마처리를 위한 대안을 제공하는 것이다. 이를 위해, 발명은 소재들을 처리하기 위한 마이크로파들을 생성하는 장치를 제공하며, 이 장치는, 교번전자기장들을 생성하기 위한 기다란 도체, 도체의 길이를 따라 실질적으로 연장된 하우징, 및 하우징 내에 위치되며 도체를 추종하는 연장된 마이크로파디커플링영역을 포함한다. 하우징은 긴 형상을 가지며 마이크로파안테나의 방향을 추종하는 적어도 하나의 공동공진기에 의해 형성된다. 공동공진기는 적어도 하나의 테이퍼지고 폐쇄형인 제1선단영역 및 공동공진기의 집속영역 내에서 실질적으로 연장되는 디커플링영역을 가진다. 적어도 비발산하우징영역은 공동공진기에 인접해 있다. |
