MRAM存储单元

摘要

本发明涉及一种由磁阻电阻(1)和开关晶体管(2)组成的MRAM存储单元,其中磁阻电阻(1)位于用于字线－针脚和用于写入操作的中间金属化表面(M1)和上金属化表面(M2)之间。字线－升压线路(B)可预定在每个单元的针脚区域上,使得其不会达到磁阻电阻(1)中的临界电压,并且开关晶体管(2)会导通。如图。

主权项

1、一种由磁阻电阻(1)和开关晶体管(2)组成的MRAM存储单元，其中磁阻电阻(1)经过最上金属化表面的线路而位于两条基本垂直交叉的线路之间，并且其中开关晶体管(2)通过具有第零、第一和第二金属化表面(M0，M1，M2)线路与源或漏极、控制极和漏或源极相接，从而使源或漏极接在存储单元区域的以第零金属化表面(M0)形式的位线上，并且控制极通过字线(WL)和针脚触点(3)而接于存储单元区域的第一金属化表面(M1)线路上，其特征在于，最上面的金属化表面是第二金属化表面(M2)，并且磁阻电阻(1)在第一和第二金属化表面(M1，M2)线路之间延伸，使得第一金属化表面(M1)线路与字线(WL)的针脚触点(3)和磁阻电阻相接，并且可以满足字线-针脚和用于磁阻电阻(1)写线的两个功能。