| 摘要 |
<p>L'invention concerne une diode Schottky comprenant un crps semi-conducteur d'un certain type de conductivité (12), le corps semi-conducteur présentant une surface rainurée, ainsi qu'une couche métallique (30) placée sur la surface rainurée et formant une jonction Schottky avec ledit corps. Celui-ci comprend, de préférence, un substrat en silicium doté d'une surface rainurée, placée sur une région du disposifif par un anneau de garde (22) d'un type de conductivité opposé à celui du corps semi-conducteur (12).</p> |
