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<p>Eine Lumineszenzdiode auf der Basis von GaA1As weist eine Fensterschicht (5) mit reduzierter Dicke auf und ist durchgehend mit Si oder Sn dotiert. Die Nettokonzentration der Dotierung liegt unterhalb von 1 x 1018 cm-3. Durch diese Massnahme wird die Degradation der Lumineszenzdiode (1) verringert.</p> |
