静电放电保护电路之布局结构

摘要

一种静电放电保护电路之布局结构。系于汲极区区域之金属下端所形成的多晶矽闸极，能经由感应电压而加速静电放电保护电路的导通，同时能使手指交错状的保护电路均匀地导通，增加对静电放电的保护能力。而且，位于汲极区区域之金属下端所形成的多晶矽闸极，分割汲极区区域成数个部份，使得静电放电发生时所产生的大电流，得以较均匀地由汲极区流至源极区，而增加对静电放电的保护能力。

主权项

1.一种静电放电保护电路之布局结构,包括:一基底;一源极区,位于该基底上,且该源极区上方设有复数个第一接触区,以连接至一接地电压;一汲极区,位于该基底上,该汲极区与该源极区系呈手指交错状,且该汲极区上方设有复数个第二接触区,以连接至一输入端点;一闸极区,位于相邻该源极区与该汲极区间,且该闸极区呈手指状布局;以及复数个多晶矽闸极,位于该汲极区金属之下端,每一该多晶矽闸极分别连接至该汲极区之两侧,并将该汲极区分割成数个部份。2.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路之布局结构,其中该静电放电保护电路系由N通道与P通道两者选一之金氧半场效电晶体构成。图式简单说明:第一图绘示的是习知一种ESD保护电路布局的俯视图;以及第二图绘示的是依照本发明一较佳实施例的一种ESD保护电路布局的俯视图。