| 摘要 |
본 발명은 기억 셀 장치 및 상기 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 하나의 층평면에서 링형 횡단면을 갖는 자기 저항성 소자(11)를 포함하는 하나의 기억 셀 장치에는 서로 교차되는 제 1 라인(12) 및 제 2 라인(13)이 제공된다. 상기 자기 저항성 소자(11)는 제 1 라인(12)과 제 2 라인(13) 사이의 교차 영역에 배치된다. 상기 제 1 라인(12) 및/또는 제 2 라인(13)은, 층평면과 평행한 전류 성분이 우세한 적어도 하나의 제 1 라인 섹션(131) 및 층평면에 수직인 전류 성분이 우세한 적어도 하나의 제 2 라인 섹션(132)을 포함한다. |
