| 主权项 |
1.一种具有自我放大式动态记忆胞之记忆胞配置之操作方法,其特征为:-记忆胞包含至少一个记忆电晶体(S),-为了写入第一资讯至记忆胞中之一,则须对相关记忆电晶体(S)之闸极电极进行充电,使闸极电极上存在第一电压,-为了写入第二资讯至记忆胞,则记忆电晶体(S)之闸极电极须充电,使其上存在第二电压,-为了读出第一资讯和第二资讯,则在记忆电晶体(S)之第一源极/汲极区施加一种操作电压(VDD),且在记忆电晶体(S)之第二源极/汲极区施加一种读出电压,-第一电压介于第二电压和读出电压之间,-读出电压介于此种扣除记忆电晶体(S)之临界电压(VT)后之第一电压和此种扣除记忆电晶体(S)之临界电压(VT)后之第二电压之间,-须选取上述之操作电压(VDD),使得在读出第一资讯时记忆电晶体(S)截止。2.如申请专利范围第1项之方法,其中-由读出电压和临界电压所形成之和几乎等于0伏特。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中-第一电压是0伏特。4.如申请专利范围第1项之方法,其中-记忆胞包含至少一个选择电晶体(A),其第一源极/汲极区是与位元线(B)相连接,其第二源极/汲极区是与记忆电晶体(5)之闸极电极相连接且其闸极电极是与字元线(W)相连接,-为了写入第一资讯至记忆胞,须控制字元线(W),使记忆电晶体(S)之闸极电极在电性上是与位元线(B)相连接,且在位元线(B)上须施加第一位元线电压,使记忆电晶体(S)之闸极电极上存在着第一电压,-为了写入第二资讯至记忆胞,须控制字元线(W),使记忆电晶体(S)之闸极电极在电性上是与位元线(B)相连接,且在位元线(B)上须施加第二位元线电压,使记忆电晶体(S)之闸极电极上存在着第二电压。5.如申请专利范围第4项之方法,其中-为二位元线电压等于操作电压(VDD),-为了控制字元线(W),在写入第一资讯和第二资讯时,字元线(W)须施加一种电压,其等于操作电压(VDD)与选择电晶体(A)之临界电压(VT)之和,使第二电压等于操作电压(VDD)。6.如申请专利范围第4项之方法,其中-第二位元线电压等于操作电压(VDD),-为了控制字元线(W),在写入第一资讯和第二资讯时,字元线(W)须施加该操作电压(VDD),使第二电压等于操作电压(VDD)扣除该选择电晶体(A)之临界电压(VT)之后的电压。7.如申请专利范围第4至6项中任一项之方法,其中-记忆胞包含至少一个二极体(D),其连接在选择电晶体(A)之第二源极/汲极区和记忆电晶体(S)之闸极电极之间,使电荷不易由记忆电晶体(S)之闸极电极流至选择电晶体(A)之第二源极/汲极区,-选择电晶体(A)之第二源极/汲极区是与记忆电晶体(S)之第二源极/汲极区相连接,-为了读出第一资讯及第二资讯,须控制字元线,使选择电晶体(A)可作为读出电晶体用。8.如申请专利范围第4,5或6项之方法,其中-记忆胞包含一个读出电晶体,其第一源极/汲极区是与记忆电晶体(S)之第二源极/汲极区相连接,-为了读出第一资讯及第二资讯,须控制该读出电晶体之闸极电极。9.如申请专利范围第7项之方法,其中-为了读出第一资讯及第二资讯,读出电晶体之闸极电极须施加一种电压,其等于该操作电压(VDD)和读出电压之和(sum)。10.如申请专利范围第8项之方法,其中-为了读出第一资讯及第二资讯,读出电晶体之闸极电极须施加一种电压,其等于该操作电压(VDD)和读出电压之和(sum)。11.如申请专利范围第7项之方法,其中-记忆胞配置是配置在基板中,基板上存在一种电压,此种电压在该读出电晶体是一种n-通道-电晶体时不大于该读出电压而在读出电晶体是p-通道-电晶体时不小于该读出电压。12.如申请专利范围第8项之方法,其中-记忆胞配置是配置在基板中,基板上存在一种电压,此种电压在该读出电晶体是一种n-通道-电晶体时不大于该读出电压而在读出电晶体是p-通道-电晶体时不小于该读出电压。13.如申请专利范围第9项之方法,其中-记忆胞配置是配置在基板中,基板上存在一种电压,此种电压在该读出电晶体是一种n-通道-电晶体时不大于该读出电压而在读出电晶体是p-通道-电晶体时不小于该读出电压。图式简单说明:第一图第一实施例中在写入第一资讯时记忆胞之电路图。第二图第一实施例中在读出第一资讯时记忆胞之电路图。第三图第一实施例中在写入第二资讯时记忆胞之电路图。第四图第一实施例中在读出第二资讯时记忆胞之电路图。第五图在第一实施例中在读出另一记忆胞之资讯时记忆胞之电路图。第六图第二实施例中在写入第一资讯时记忆胞之电路图。第七图第二实施例中在写入第二资讯时记忆胞之电路图。第八图第二实施例中在读出第一资讯时记忆胞之电路图。第九图第二实施例中在读出第二资讯时记忆胞之电路图。第十图第二实施例中在读出另一记忆胞之资讯时记忆胞之电路图。 |
