| 主权项 |
1.一种离子植入装置,系具备有:供配置半导体晶圆之处理室;与形成离子束而照射配置于该处理室内之该半导体晶圆的离子光束部;与与供给气体于该离子光束部的气体供给手段者。2.如申请专利范围第1项所述离子植入装置,其中,该离子光束部系包含有:形成离子束的源头部;与在因该源头部而所形成的离子束中,选择植入该半导体晶圆之离子束的离子筛选部;与将经该离子筛选部所筛选出之离子束进行加速,并照射该半导体晶圆的加速部;而该气体供给手段系将该气体供给于该离子光束部之该加速部者。3.如申请专利范围第1项所述离子植入装置,其中,该气体供给手段系在随该离子束照射而由该半导体晶圆产生的外逸气体,与经该气体供给手段所供给该气体之总和约略呈一定状态方式,将该气体供给于该离子光束部内者。4.如申请专利范围第1项所述离子植入装置,其中,该气体供给手段系供给该气体于该离子光束部,俾使该离子光束部内部压力略呈一定状态者。5.如申请专利范围第1项所述离子植入装置,其中,该气体供给手段系将当该离子光束照射该半导体晶圆时,由该半导体晶圆产生与外逸气体预测量约略等量的气体,供给于巷该离子光束部。6.如申请专利范围第1项所述离子植入装置,其中,该气体为H2气体。7.一种离子植入方法,系使用一种离子植入装置,其具备有:供配置半导体晶圆之处理室;与形成离子束而照射配置于该处理室内之该半导体晶圆的离子光束部;与与供给气体于该离子光束部的气体供给手段者;其特征在于:在照射离子束于该半导体晶圆之离子植入方法时,系包含有:供给气体于离子光束部之气体供给步骤者。8.如申请专利范围第7项所述离子植入方法,其中,该离子植入装置的离子光束部系包含有:形成离子束的源头部;与在因该源头部而所形成的离子束中,选择植入该半导体晶圆之离子束的离子筛选部;与将经该离子筛选部所筛选出之离子束进行加速,并照射该半导体晶圆的加速部;而该气体供给步骤系将该气体供给于该离子光束部之该加速部者。9.如申请专利范围第7项所述离子植入方法,其中,该气体供给步骤系供给该气体于该离子光束部,俾使经该离子光束照射而由半导体晶圆产生的外逸气体,与由该气体供给步骤所供给该气体之总和,约略为一定状态。10.如申请专利范围第7项所述离子植入方法,其中,该气体供给步骤系使该离子光束部内部压力约略呈一定状态方式,供给该气体于该离子光束部者。11.如申请专利范围第7项所述离子植入方法,其中,该气体供给步骤系将当该离子束照射该半导体晶圆时,由该半导体晶圆产生的与预测外逸气体量约略等量的该气体,供给于该离子光束部者。12.如申请专利范围第7项所述离子植入方法,其中,该气体为H2气体。图式简单说明:第一图系离子植入装置结构示意图。第二图系离子植入装置之部分剖面立体示意图。第三图系外逸气体量变化图。第四图系植入掺质量变化图。第五图系外逸气体量变化图。第六图系供给气体量变化图。第七图系整体气体量变化图。 |
