| 主权项 |
1.一种强磁记忆格,包含: (a)一基座(19),其方位在一水平面上; (b)一环节(储存元件)(3),以强磁材料制成,具有: (1)一方位为垂直于该基座之水平面之高度,与 (2)一可沿该高度导引之极性; (c)一感测线(1),置于环节(3)附近足以侦测该环节之 导向极性;以及 (d)一写入线(2),位于该环节附近足以导引该环节之 极性。2.如申请专利范围第1项之记忆格,尚包含: (a)一侦测器,耦合于该感测线;以及 (b)一位于环节(3)附近之样本驱动线(14),发射一使 该环节之导向脉冲增加至足以将一可被侦测器侦 测之波感应入该感测线内之电脉冲。3.如申请专 利范围第2项之记忆格,其中被感应入该感测线内 之波为一正波且代表二进制"1"。4.如申请专利范 围第2项之记忆格,其中被感应入该感测线内之波 为一负波且代表二进制"0"。5.如申请专利范围第1 项之记忆格,其中所述写入线外接于该环节周边附 近。6.如申请专利范围第2项之记忆格,其中该感测 线及该样本驱动线系置于一基底内且位于该环节 下方。7.如申请专利范围第6项之记忆格,其中该感 测线及该样本驱动线系置放成延伸于该环节之一 中央部份附近。8.如申请专利范围第2项之记忆格, 其中该感测线及该样本驱动线系在该环节之相反 端上。9.如申请专利范围第8项之记忆格,其中该感 测线系耦合于一输出感测放大器(11)。10.如申请专 利范围第9项之记忆格,其中该样本驱动线在通过 该环节附近后耦合于地面。11.一种储存及检索二 元资料之方法,包含以下步骤: (a)提供一由强磁材料制成、具有一能被导向之极 性之记忆体环节; (b)沿一与该环节磁连通之写入线发送一电流,而于 某一方向导引该环节之极性;以及 (c)沿一感测线发送一电流侦测该环节之极性,以使 相关经侦测极性之资讯经由该感测线转移至一与 其耦合之侦测器。12.如申请专利范围第11项之方 法,其中侦测步骤尚包含以下步骤: (a)提供一样本驱动线与该环节磁连通;以及 (b)经由所述样本驱动线启动一电脉冲与沿该感测 线发送之电流并流,以使该电脉冲与该强磁环节之 导向极性结合,而产生一足以于该感测线内导致一 可侦测信号之场。13.如申请专利范围第12项之方 法,其中被感应入该感测线内之波为一正波且代表 二进制"1"。14.如申请专利范围第13项之方法,其中 被感应入该感测线内之波为一负波且代表二进制" 0"。15.如申请专利范围第11项之方法,其中所述写 入线包围所述强磁环节。16.如申请专利范围第12 项之方法,其中所述感测线及所述样本驱动线系置 于一基底内,该强磁环节即安置于后者顶部。17.如 申请专利范围第16项之方法,其中所述感测线及所 述样本驱动线系置于该强磁环节之中央。图式简 单说明: 第一图为本发明非依电性强磁随机存取记忆体之 一示意图。 第二图为第一图中所示记忆格元件之一侧视图。 |
