| 发明名称 | 表面声波谐振腔滤波器 | ||
| 摘要 | 一种表面声波谐振腔滤波器，包括多个ＩＤＴ，彼此紧挨地在３６°Ｙ截面Ｘ向传播式LiTaO＃-[3]基片上设置；多个反射器，设置在所述多个ＩＤＴ的两侧，ＩＤＴ和反射器的各电极由或主要由铝构成的铝合金制成；SiO＃-[2]薄膜形成得将ＩＤＴ和反射器都覆盖住。电极厚度比Ｈ／λ和ＳiO＃-[2]薄膜厚度比Ｈ／λ设定在２．６％≤Ｔ／λ≤４．８％，２２％≤Ｈ／λ≤３８％的范围内，其中Ｔ表示所述ＩＤＴ各电极的厚度，Ｈ表示所述SiO＃-[2]薄膜的厚度，λ表示表面声波的波长。$＃! | ||
| 申请公布号 | CN1075287C | 申请公布日期 | 2001.11.21 |
| 申请号 | CN96101976.X | 申请日期 | 1996.03.22 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 下江一伸;平石明 |
| 分类号 | H03H9/02;H03H9/25 | 主分类号 | H03H9/02 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1．一种表面声波谐振腔滤波器，其特征在于，它包括：一种36°Y截面X向传播的LiTaO3基片；多个IDT，设置在所述LiTaO3基片上；多个反射器，设置在所述多个IDT的两侧；和SiO2薄膜，设置得使其覆盖住所述IDT和所述反射器；其中电极厚度比T/λ和SiO2薄膜厚度比H/λ取得满足以下不等式的条件： 2.6％≤T/λ≤4.8％ 22％≤H/λ≤38％其中T表示所述IDT和反射器的各电极的厚度，H表示所述SiO2薄膜的厚度，λ表示在所述基片上产生的表面声波的波长，其长度为反射器电极间距的两倍。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||