| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법에 있어서, 게이트 산화막의 재산화 공정에서 게이트 전극에서 불량이 발생하는 것을 방지하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 소자 게이트 전극 형성 방법은 반도체 기판 상부에 게이트 산화막과, 불순물이 도핑된 폴리 실리콘막, 도전용 금속막을 차례로 형성하는 단계와, 리소그라피 공정을 통하여 도전용 금속막과, 도핑된 폴리 실리콘막을 소정 형태로 식각하는 단계와, 상기 결과물 상에 산화 방지용 폴리 실리콘막을 형성한 후에 열처리 공정을 진행하여 도전용 금속막의 표면을 금속 실리사이드막으로 상변화시키는 단계와, 상기 남아있는 산화 방지용 폴리 실리콘막을 제거한 후에 재산화 공정을 진행하는 단계를 포함한다.</p> |
