| 主权项 |
1.一种嵌入式DRAM记忆胞缝区制程方法,以提供该嵌入式DRAM记忆胞带状接触区之形成的前处理步骤,该方法至少包含下列步骤:提供一半导体基板已定义DRAM区及周边区,该DRAM区并已定义主动区和隔绝区,且DRAM区已形成闸极氧化层/导电性杂质掺杂的复晶矽层,该周边区已形成闸极氧化层/复晶矽层;形成第一氧化层于该DRAM区上之掺杂的复晶矽层及周边区之复晶矽层上;形成氮化矽层于该第一氧化层上;形成一氮矽氧化层于该氧化矽层上以做为抗反射涂层;形成一光阻图案于该DRAM区之该氮矽氧化层上以定义字语线,其中该DRAM区记忆胞间的缝区裸露的;施以第一次蚀刻步骤,蚀刻未被光阻覆盖之该氮矽氧化层及氮化矽层,以该第一氧化层为终止层,用以形成该DRAM区之硬式罩幕;去除该光阻图案;形成一光阻图案于该周边区上,用以定义闸极,同时该光阻图案覆盖该DRAM区记忆胞间的缝区;施以第二次蚀刻以蚀刻未被该光阻图案覆盖之该第一氧化层,以该复晶矽层为蚀刻终止层,及以该光阻及该DRAM区之硬式罩幕为罩幕层;去除该光阻图案;及以该周边区的氧化层、该DRAM区记忆胞间的缝区的第一氧化层及该DRAM记忆胞区的氮矽氧化层及氮化矽层为硬式罩幕蚀刻该复晶矽层,以形成DRAM字语线,及周边区闸极,其中DRAM缝区也形成没有硬式罩幕的区域,以提供后继之接触洞蚀刻前处理步骤。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一氧化层约厚40-100nm的厚度,并且系选自由氮矽氧化层和TEOS所组成的族群其中之一。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之复晶矽层厚约150至200nm。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化矽层约厚120至200nm。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一次蚀刻之蚀刻至少包含CF4/CHF3/CH3F/Ar/O2为蚀刻剂。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二次蚀刻步骤,系将上述之DRAM和该字语线蚀刻以形成以缝区较宽且无硬式罩幕,字语线较窄的狗骨头状复晶矽层。7.一种嵌入式DRAM记忆胞缝区制程方法,以提供该嵌入式DRAM记忆胞带状接触区之形成的前处理步骤,该方法至少包含下列步骤:提供一半导体基板已定义DRAM区及周边区,该DRAM区并已定义主动区和隔绝区;全面形成闸极氧化层于该半导体基板上;形成一复晶矽层于该半导体基板上;形成一光阻图案于该周边区并曝露出该DRAM区;对该DRAM区上的该复晶矽层施以离子布植,以该光阻图案为罩幕;去除该光阻图案;形成第一氧化层于该DRAM区上之复晶矽层及周边区之复晶矽层上;形成氮化矽层于该第一氧化层上;形成一氮矽氧化层于该氮化矽层上以做为抗反射涂层;形成一光阻图案于该DRAM区之该氮矽氧化层上以定义字语线,其中该DRAM区记忆胞间的缝区裸露的;施以第一次蚀刻步骤,蚀刻未被光阻覆盖之该氮矽氧化层及氮化矽层,以该第一氧化层为终止层,用以形成该DRAM区之硬式罩幕;去除该光阻图案;形成一光阻图案于该周边区上,用以定义闸极,同时该光阻图案覆盖该DRAM区记忆胞间的缝区;蚀刻未被该光阻图案覆盖之该第一氧化层,以该复晶矽层为蚀刻终止层,及以该光阻及该DRAM区之硬式罩幕为罩幕层;去除该光阻图案;及以该周边区的氧化层、该DRAM区记忆胞间的缝区的第一氧化层及该DRAM记忆胞区的氮矽氧化层及氮化矽层为硬式罩幕蚀刻该复晶矽层,以形成DRAM字语线,及周边区闸极,其中DRAM缝区也形成没有硬式罩幕的区域,以提供后继之接触洞蚀刻前处理步骤。8.如申请专利范围7之方法,其中上述之DRAM区的复晶矽层系以n型导电型杂质布植。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第一氧化层约厚40-100nm的厚度,并且系选自由氮矽氧化层和TEOS所组成的族群其中之一。10.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之复晶矽层厚约150至200nm。11.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之氮化矽层约厚120至200nm。12.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第一次蚀刻之蚀刻至少包含CF4/CHF3/CH3F/Ar/O2为蚀刻剂。13.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第二次蚀刻步骤,系将上述之DRAM和该字语线蚀刻以形成以缝区较宽且无硬式罩幕,字语线较窄的狗骨头状复晶矽层。图式简单说明:第一图显示嵌入式DRAM记忆胞,DRAM区、周边区和记忆胞、记忆胞缝区之概略俯视图。第二图显示依据本发明之方法对DRAM区复晶矽层进行掺杂,同时再形成第一氧化层与氮化矽覆盖层之横截面示意图。第三图显示依据本发明之方法以光阻定义DRAM字语线并使DRAM缝区之氮化矽覆盖层去除的示意图。第四图显示依据本发明之方法以另一光阻图案定义周边区闸极及DRAM缝区之狗骨头状接触洞位置的横截面示意图。第五图显示依据本发明之方法形成之DRAM字语线与缝区有如狗骨头状接触的接触区的俯视图。第六图显示依据本发明之方法蚀刻以形成周边区闸极及DRAM字语线的横截面示意图。 |
