| 主权项 |
1.一种具高矽含量之铸用生铁的制造方法,包括了 下列的步骤: a)氧化矽及铁/碳金属被加入一高炉中, b)在如此操作时,该添加系被维持于一高度还原的 氛围中, c)该物料柱(column)依环形进给,至少是在该容器的 底部附近,及 d)其被暴露于一热源的辐射热中,该热源系位在该 高炉底部之上之物料柱的一出口区中的一无障碍 的空间中。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其 中该热源为一传递电弧(transferring arc)。3.如申请 专利范围第1或2项所述之方法,其中该进料包括下 列的铁载体; 80%的碎片金属,10%的切屑,5%的锡罐及5%的铁切屑。4 .如申请专利范围第1项所述之方法,其中包含碎片 金属,切屑,锡罐及铁切屑之铁载体的进料系被铁 矿所取代。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其 中包含碎片金属,切屑,锡罐及铁切屑之铁载体的 进料系被海绵铁所取代。6.如申请专利范围第3项 所述之方法,其中该等进料系直接进给至该无阻碍 空间开暴露于幅射热中。7.一种具高矽含量之铸 用生铁的制造装置,其包括一被置于中央的电极, 该电极突伸该炉子容器中且被导至该底部的附近, 及一相反电极设置于该炉子容器的底部上,该直流 炉是用来实施申请专利范围第1项所述的方法,其 中突伸入该炉子容器中之该电极其被一同轴的套 管所包围,该套管的外径相对于该炉子容器的内径 比例为d:D=1:4,及该出口与该炉子容器的底部相间 隔的空间为2d≦a≦4d。8.如申请专利范围第7项所 述之装置,其中该套管具有一圆锥形其在该炉子底 部的方向上以一圆锥角a=4至6度的角度逐渐变窄。 9.如申请专利范围第7项所述之装置,其中该套管可 相关于其与如器底部间的空间于一垂直的方向上 被移动。10.如申请专利范围第7项所述之装置,其 设备有向上突伸至该套管的开口之进料机构。11. 如申请专利范围第10项所述之装置,其中该进料机 构系物料进给管(lance),其系连接至输送机构。12. 如申请专利范围第10项所述之装置,其中该见料机 构系一管状套覆(jacket)套住该套管。13.如申请专 利范围第7项所述之装置,其中突伸入该容器中之 该电极为一中空的电极。图式简单说明: 第一图为一示意图其显示一炉子,该炉子配备有一 中心电极并包括一圆锥形地渐窄的环形内炉颈。 第二图为一示意图其显示一包含了一电极的高炉, 该电极被一环形套管所包围,及一进料管其与该套 管相平行。 第三图显示一进料器套管其与该中心电极的保护 套管套在一起。 |
