| 摘要 |
<p>본 발명은 게이트 전극 형성시, 게이트 전극의 측벽이 네가티브 형태가 되는 것을 방지할 수 있는 박막 트랜지스터의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 절연층 상부에 도전층을 형성하는 단계와, 상기 도전층을 소정 부분 과도 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 양측에 도전 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 및 절연층 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상부에 채널층을 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
