| 发明名称 |
Method of erasing a split-gate flash memory element arrangement |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft die Anordnung eines Split-gate Flash-Speicherelementes und deren Methode zum Löschen in einer speziellen Doppelwannentechnologie in einem Hochvoltprozeß, wodurch die Verwendung positiver Spannungen, wie sie zum Programmieren des Split-gate Flash-Speicherelementes verwendet wird, auch zum Löschen des Elementes eingesetzt werden kann.</p> |
| 申请公布号 |
EP1148556(A2) |
申请公布日期 |
2001.10.24 |
| 申请号 |
EP20010104122 |
申请日期 |
2001.02.21 |
| 申请人 |
X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG |
发明人 |
FREY, MICHAEL;HABERLA, HOLGER DR. |
| 分类号 |
G11C16/16;G11C16/04;G11C16/14;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/788;(IPC1-7):H01L29/788;H01L27/115 |
主分类号 |
G11C16/16 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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