| 主权项 |
1.一种应用在区域氧化隔离上的免沟渠埋窗制程,其步骤包括:提供一第一型半导体基底,其上并形成有一闸极氧化层以及一区域氧化隔离层;形成一第一导电层于该闸极氧化层及该区域氧化隔离层上;在埋窗预定处形成一第一开口,裸露出部分该闸极氧化层以及部分该区域氧化隔离层,其中在该第一开口之包含有该区域氧化隔离层之一侧定义为隔离区,而另一侧定义为元件区;形成一宽度大于该第一开口之第二开口,使部分该第一导电层露出;蚀刻部分露出的该第一导电层,并且同时蚀刻去除该第二开口所露出之该闸极氧化层,和部分该区域氧化隔离层,使该区域氧化隔离层形成有一缺口;形成一掺植有第二型杂质之埋层扩散区于该第二开口所露出之该第一型半导体基底中;形成一第二导电层于该上述步骤所形成之结构表面,并且界定出一位在该埋层扩散区上方之闸极;以及于该元件区内依序形成一掺植有第二型杂质之LDD扩散区以及源极/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第一型为P型。3.如申请专利范围第2项所述之制程,其中该第二型为N型。4.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第一导电层为复品矽层。5.如申请专利范围第4项所述之制程,其中该第二导电层系由一复品矽层以及一复晶矽化金属所构成。6.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第一导电层与该闸极氧化层之蚀刻比约为3:1。7.如申请专利范围第1项所述之制程,其中位在该第二开口下之该埋窗扩散区是以能量约70KeV且浓度约为1014atoms/cm2的第二型杂质,布植进入该第二开口下之基底中。8.如申请专利范围第1项所述之制程,其中位在该第二开口下之该埋窗扩散区包含有一第一扩散区以及一第二扩散区。9.如申请专利范围第8项所述之制程,其中该第一扩散区是位在该闸极之下方。10.如申请专利范围第9项所述之制程,其中该第一扩散区之第二型杂质深度低于该第二扩散区之第二型杂质浓度。11.一种应用在区域氧化隔离上的免沟渠埋窗制程,其步骤包括:提供一第一型半导体基底,其上并形成有一闸极氧化层以及一区域氧化隔离层;形成一第一导电层于该闸极氧化层及该区域氧化隔离层上;形成一第一光阻图案于该第一导电层上,并在埋窗预定处形成一第一开口,裸露出部分该闸极氧化层以及部分该区域氧化隔离层,其中在该第一开口之包含有该区域氧化隔离层之一侧定义为隔离区,而另一侧定义为元件区;削除部分该第一光阻图案,形成一第二光阻图案,并形成一宽度大于该第一开口之第二开口,使得部分第一导电层露出;蚀刻部分裸露之该第一导电层,并且同时蚀刻去除该第二开口所露出之该闸极氧化层和部分该区域氧化隔离层,使该区域氧化隔离层形成有一缺口;在该第二开口下之基底内形成一埋窗扩散区;去除该第二光阻图案;去除该元件区内之该第一导电层以及位在该第一导电层下之闸极氧化层,界定出一位在该埋层扩散区上方之闸极;形成一第二导电层于该上述结构表面;去除该元件区露出之该第二导电层,露出该元件区之第一型半导体基底表面;形成一掺植有第二型杂质之LDD扩散区;形成一侧壁子于该元件区之闸极侧面;以及形成一掺植有第二型杂质的源极/汲极区。12.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该第一型为P型。13.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该第二型为N型。14.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该第一导电层为复晶矽层。15.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该第二导电层系由一复晶矽层以及一复晶矽化金属所构成。16.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该第一导电层与该闸极氧化层之蚀刻比约为3:1。17.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该第三导电层为金属矽化物层。18.如申请专利范围第11项所述之制程,其中位在该第二开口下之该埋窗扩散区是以能量约70Kev且浓度约为1014atoms/cm2的第二型杂质,布植进入该第二开口下之基底中。19.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该埋窗扩散区包括有一第一扩散区以及一第二扩散区。20.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该第一扩散区是位在该闸极之下方。21.如申请专利范围第20项所述之制程,其中该第一扩散区内之第二型杂质浓度低于该第二扩散区内之第二型杂质浓度。22.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该侧壁子是由二氧化矽所构成。图式简单说明:第一图至第三图是剖面示意图,显示的是习知掩埋式接触结构的制程。第四图A~第四图G是剖面示意图,显示根据本发明之一种免沟渠埋窗制程。 |
