| 摘要 |
<p>본 발명은 MIS형 트랜지스터의 미세화에 적합한 구조를 갖는 반도체 장치에 관한 것으로, 동작 임계치를 안정적으로 유지하고, 큰 접합 내압을 확보하여, 접합 용량을 억제하고, 또한, 핫캐리어를 억제하는 것을 목적으로 한다. P이나 As 등의 N형 불순물을 포함하는 기판(36)에 게이트 절연막(52) 및 게이트 전극(54)을 형성한다. 게이트 절연막(52) 아래에 게이트 영역(40)을 형성하고, 그 양측에 제1 및 제2 소스 드레인 영역(48, 50)을 형성한다. 게이트 영역(40)의 중앙에, 기판(36)에 비해 높은 농도로 N형 불순물을 포함하는 고농도 채널 주입 영역(42)을 설치한다. 고농도 채널 주입 영역(42)과 제1 및 제2 소스 드레인 영역(48, 50) 사이에, 각각, 기판(36)과 거의 동일한 불순물 농도를 갖는 제1 및 제2 저농도 채널 주입 영역(44, 46)을 형성한다.</p> |
