| 主权项 |
1.一种放电发光装置,包括:第1基板;第2基板,重合于第1基板上成于其与第1基板之间形成有封入放电气体之放电空间者,且具有透光性;第1及第2萤光体,设置于前述放电空间内;第1电极,设于前述第1基板侧;以及第2电极,设于前述第2基板侧;其中将第2电极相对于第1电极错开配置成使第1电极与第2电极不相重合者。2.如申请专利范围第1项之放电发光装置,其中前述第1基板系具有第1萤光体,而前述第2基板系具有第2萤光体,且前述第1萤光体之厚度较第2萤光体之厚度为大者。3.如申请专利范围第2项之放电发光装置,其中前述第1萤光体之厚度为40m以上60m以下,且前述第2萤光体之厚度为3m以上10m以下。4.如申请专利范围第1项之放电发光装置,其中于前述第1基板之前述放电空间侧之表面上配置前述第1电极,而于前述第2基板上于与前述放电空间侧相反之侧之外表面上配置前述第2电极,而将前述第2电极作为接地电位者。5.如申请专利范围第4项之放电发光装置,其中具有覆盖前述第1电极且具有透光性之绝缘层,前述绝缘属之厚度为30m以上50m以下。6.如申请专利范围第1项之放电发光装置,其特征在于:前述第2基板系具有朝向前述第1基板延伸之壁部,而将前述第2电极配置于较前述第2基板之壁部为内侧之处者。7.如申请专利范围第6项之放电发光装置,其中前述第2电极之外用与前述壁部之外周间之间隔为0.5mm以上者。8.如申请专利范围第1项之放电发光装置,其中于前述第1基板之与前述放电空间侧相反之侧之外表面上配置前述第1电极而于第2基板上于前述放电空间侧之表面上配置前述第2电极,而以前述第1电极为接地电位者。9.如申请专利范围第8项之放电发光装置,其中具有覆盖前述第2电极且具有透光性之绝缘层,且前述绝缘层之厚度为30m以上50m以下者。10.如申请专利范围第9项之放电发光装置,其中于前述绝缘层上设有通达前述第2基板之开口,而于前述开口内之前述第2基板之表面上形成有前述第2萤光体者。11.如申请专利范围第1项之放电发光装置,其中前述第1基板具有朝向前述第2基板延伸之壁部,而将前述第1电极配置于较前述第1基板之壁部为内侧之处。12.如申请专利范围第11项之放电发光装置,其中前述第1电极之外周与前述壁部之外周之间隔为0.5mm以上者。13.如申请专利范围第1项之放电发光装置,其中前述第2电极之相对于前述第1电极之错开量为前述第1及第2基板间之间隔之1/2以上者。14.如申请专利范围第1项之放电发光装置,其中使前述第1电极为平板状且使前述第2电极为环状者。15.如申请专利范围第1项之放电发光装置,其中其系作为接触式影像感测器用光源使用者。图式简单说明:第一图为本发明之发明人所发明出之放电发光装置之剖面图。第二图为第一图之放电发光装置之发光状态之剖面图。第三图为本发明之实施型态1有关之放电发光装置之剖面图。第四图为本发明之实施型态1有关之放电发光装置之俯视图。第五图为相对效率与电极间之间隔及内部电极之电极宽度之关系。第六图为第三图所示之放电发光装置之变形例之剖面图。第七图为本发明之实施型态2之放电发光装置之剖面图。第八图为第七图所示之放电发光装置之变形例之剖面图。第九图为相对亮度与萤光体厚度之关系之示意图。第十图为相对效率与萤光体及绝缘属之厚度之关系之示意图。第十一图为习知之CIS之俯视图。第十二图为第十一图所示之CTS之剖面图。 |
